CVD sic tunicas hydriam susceptos

Vetek semiconductor cvd sic iactaret dolium Socticuttor est tailored pro epitaxial processus in semiconductor vestibulum et est specimen electionis pro meliorem uber qualis et cede. Hoc sic coating graphite susceptator basis adoptat solidum graphite structuram et pressius iactaret cum sic layer by CVD processus, quod facit eam habere optimum scelerisque conductivity, corruma resistentia et caliditas in epitaxial incrementum.

Product Material et structuram

CVD sic dolium Suspender is a tincidunt informibus firmamentum component formatae per coating Silicon carbide (microform) in superficies a graphite matrix, quae est maxime ad portare in graphite, si, sic, gan et providere in uniformis agro in altum temperatures.

Et dolio structuram est saepe usus est ad simultaneous processui de plures wafers ad amplio epitaxial layer incrementum efficientiam per optimizing airflow distribution et scelerisque agri uniformizing. Design ut in rationem imperium Gas fluxus semitam et temperatus gradiente.

Core munera et technica parametri

Thermal stabilitatem: Non est necessarium ponere structural stabilitatem in altum temperatus amet MCC ° C ad vitare deformatio vel scelerisque accentus fregisset.

Chemical inertia: et sic coating necessitates resistere exesa de mordax vapores (ut H₂, HCL) et metallicum organicum residua.

Thermal uniformitatem: et temperatus distribution deviationis debet esse imperium intra ± I% ad curare epitaxial layer crassitudine et doping uniformitatem.

Coating technica requisitis

Density: omnino operient Graphite matrix ne Gas penetratio ducens matrix corrosio.

Vinculum Fortitudo: opus est altum temperatus exolvitur test ad vitare coating eros.

Materials et vestibulum processibus

Electio materiae memoria

3C-sic (β-microform): quia eius scelerisque expansion coefficiente est prope ad Graphite (4.5 × 10⁻⁶ / ℃), quod factum est amet coating inpulsa resistentia.

Alternative: Tac coating potest reducere ortament contaminationem, sed processus est complexum et pretiosi.

Coating praeparatio modum

Chemical vapor depositione (CVD) a amet ars quod deposits sic in Graphite superficierum per Gas reactionem. Et coating est densa et ligat fortiter, sed takes diu et postulat curatio de toxicus vapores (ut sih₄).

Embedding modum: processus est simplex sed coating uniformitatem est pauper, et subsequent curatio est requiritur ad amplio density.

Foro status et localization profectum

Monopolium

Batavica XYCARD, Germania scriptor SGL, Japan scriptor Toyo Carbon et Aliae societates occupare magis quam XC% de global participes, ducens in altum finem forum.

Domesticis technological breakthrough

Semixlab fuit in linea cum internationalis signa in coating technology et habet developed novum technologiae ad efficaciter ne de coating a procidens off.

De graphite materia, habemus profunda cooperante cum SGL, Toyo et ita in.

Typical Application Case

Gan epitaxial incrementum

Percipe Sapphire substrati in Mocvd apparatu enim Gan film depositione ducitur et RF cogitationes (ut temnis) ad resistere NH₃ et Tmga atmosphaeres XII.

Sic Power Fabrica

Firmamentum PROLIXUS SIC subiecta, epitaxial incrementum sic iacuit ad artifices altum intentione cogitationes ut mosfets et SBD, requirit basi vita plus quam D cycles XVII.

SEM data de CVD sic coating film Crystal structuram:

Basic physica proprietatibus CVD sic coating:

Et semiconductor CVD sic tunicas hydriam susceptos shops: