Quam ut parare CVD Tac coating? - Veteksemicon

Quid CVD Tac coating?

CVD Tac coatingEst momenti summus temperatus structural materia cum princeps viribus, corrosio resistentia et bonum eget stabilitatem. Eius liquescens punctum est quod altum quod MMMDCCCLXXX ℃ et est unum summum temperatus repugnans componit. Habet optimum summus temperatus mechanica proprietatibus, summus celeritas airflow exesion resistentia, ablationem resistentia, et bonum eget et mechanica compatibility cum Graphite et ipsum / Carbon Composite materiae.

Ideo inMucvd Epitaxial processumDe Gan leucit et sic potentia cogitationes,CVD Tac coatingHabet optimum acidum et alcali resistentia ad H2, HC1 et NH3, quod potest omnino protegat in graphite matrix materia et purificare incrementum environment.

CVD Tac coating adhuc firmum supra MM ℃ et CVD Tac coating incipit ad decomposi ad 1200-1400 ℃, quae etiam magnificet amplio integritas in graphite matrice. Magna institutions omnes usus CVD ad parare CVD Tac coating in Graphite subiecta, et erit porro augendae productio facultatem CVD Tac coating in occursum necessitatibus sicci potentiam cogitationes et ganneds epitaxial apparatu.

Praeparatio condiciones CVD Tantalum carbide coating

Praeparatio processus of CVD Tac coating plerumque utitur summus density graphite ut subiectum materia, et praeparat defectus-liberumCVD Tac coatingIn Graphite Superficies a CVD methodo.

The realization process of CVD method to prepare CVD TaC coating is as follows: the solid tantalum source placed in the vaporization chamber sublimates into gas at a certain temperature, and is transported out of the vaporization chamber by a certain flow rate of Ar carrier gas. At enim quaedam temperatus, in gaseous tantalum fons occurrat et miscet cum hydrogenii subire reductionem reactionem. Denique reducta tantalum elementum deposita super superficiem in graphite subiecta in depositione cubiculum, et carboniamation reactionem fit ad quaedam temperatus.

Processus parametri ut vaporization temperatus, Gas fluunt rate, et depositionem temperatus in processus of CVD Tac coating ludere a valde magna munus in formationeCVD Tac coating. Et CVD Tac coating cum mixta orientation erat paratus ab isothermal eget vapor depositione ad MDCCC ° C usus Tacl5-H2-ar-c3h6 ratio.

Processus parare cvd Tac coating

Figura I ostendit in configuratione de eget vapor depositione (cvd) reactor et consociata Gas partus ratio pro Tac depositione.

Figura II ostendit superficiem EREGNUM de CVD Tac coating ad diversas magnifications, showing densitate de coating et in Morphologia granis.

Figura III ostendit in superficiem EREGUS CVD Tac coating post ablationem in media area, inter blurred frumenti terminos et fluidum fusum blurred formatae super superficiem.

Figura IV ostendit in Xrd Patterns CVD Tac coating in diversis locis post ablationem, analyzing tempus compositionem de ablatione products, quae maxime β-ta2o5 et α-ta2o5.