Quid est differentia inter CVD Tac et SINTER TAC?

I. Quid est Tantalum carbide?

Tantalum carbide (Tac) est binarii compositis composito ex Tantalum et ipsum cum empirica formula Tacx, ubi X plerumque variat in range of 0.4 ad I. Sunt valde durum, fragilis Material. Sunt brunneis griseo pulverem solet sinum. Ut est momenti metallum Ceramic materiam, Tantalum carbide est usus commercium ad cutting instrumenta et aliquando addidit ad Tungsten Carbide Alloys.

Figura I. Tantalum Carbide Rudis Materials

Tantalum Carbide Ceramic est Ceramic continet septem crystallina augmenta de tantalum carbide. In eget formula Tac, faciem-sitas cubic cancelli.

Figura II.Tantalum Carbide - Wikipedia

Theoretical density est 1,44, liquescens punctum est 3730-3830 ℃, scelerisque expansion coefficiens est 8.3 × 10-6, elastica modulus est 291gpa, scelerisque est circa MMMDCCCLXXX ℃, secundum puritatem et mensurae conditionibus. Hoc valore est summa inter binarii componit.

Figura III.Chemical vapor depositione Tantalum carbide in Tabr5 & Ndash

II. Quam fortis est Tantalum carbide?

Per probationem et Vickers duritiem, fractura lenta et relativa densitate series exempla, quod potest determinari quod Tac habet optimum mechanica proprietatibus at 5.5gpa et MCCC ℃. Et relativum densitas, fracturam lenta et Vickers duritiam TAC sunt 97,7%, 7.4MMPAM1 / II et 21.0GPA respectively.

Tantalum carbide etiam dicitur Tantalum carbide LATERAMEN, quae est quaedam Ceramic materia in lata sensu;Praeparatio modi Tantalum carbide includitCvdModum, De Ratio, Etc. ad praesens, et CVD methodo communiter in semiconductors, cum excelsum puritatem et excelsum cost.

III. Tantalum Carbide et CVD Tantalum Tantalum Carbide Tantalum

In processus technology de semiconductors, Sinaed Tantalum carbide et eget vapor depositione (CVD) Tantalum carbide sunt duo communia modi ad praeparationem Tantalum carbide, quae habent significant in praeparatione processus, microsctructure et applicationem.

3.1 Praeparatio Processus

Sinaed Tantalum Carbide: Tantalum carbide pulveris est peccata sub altum temperatus et princeps pressura ad formare figura. Hoc processus involves pulveris densificatio, frumentum incrementum et immunditia remotionem.

CVD Tantalum Carbide: Tantalum Carbide Gaseous precursor adhibetur ad agere chemica in superficie calefacta subiecta, et Tantalum carbide film deposita iacuit per iacuit. CVD processus habet bonum film crassitudine imperium facultatem et compositionem uniformitatem.

3,2 microstructure

Tantalum Tantalum Carbide: Fere, quod est a polycrystalline structuram cum magna grano magnitudine et poros. Et microstructure est affectus factors ut peccare temperatus, pressura et pulveris characteres.

CVD Tantalum Carbide: solet densa polycrystalline film cum parva grano magnitudine et potest consequi altus orientatur incrementum. Et microstructure de film est affectus factors ut depositione temperatus, Gas pressura et Gas tempus compositionem.

3,3 perficientur differences

Figura IV. Effectus Differentias Inter SIGNIA TAC et CVD TAC

3,4 applications

Tantaled Tantalum Carbide: Ob eius princeps vires, princeps duritiam et altum temperatus resistentia, ut late in secretum instrumenta, gerunt, repugnant partes, summus temperatus structural materiae et aliis agris. Exempli gratia, SINALIUM TANTALUM Carbide potest adhiberi ad officiosum secare instrumenta ut terebras et milling cutters ut amplio processus efficientiam et partem superficiem qualis.

CVD Tantalum Carbide: Ob eius tenuis film proprietatibus, bonum adhaesionem et uniformitatem, id est late in electronic cogitationes, coating materiae, catalysts et aliis agris. Exempli gratia, CVD Tantalum carbide potest esse quod internececta ad integrated circuits, gerunt, repugnans coatings et catalyst carriers.

---------------------------------------------------------------------------------------------------------- ----------------------------------------------------------------------------------------------------------

Ut a Tantalum carbide coating manufacturer, elit et officinas, Vetek Semiconductor est ducens manufacturer of Tantalum carbide coating materiae pro semiconductor industria.

Pelagus products includitCVD Tantalum Carbide coated partes, Seged Tac coated partes pro Sic crystallus incrementum et semiconductor epitaxy processibus. Our main products are Tantalum Carbide Coated Guide Rings, TaC Coated Guide Rings, TaC Coated Half Moon Parts, Tantalum Carbide Coated Planetary Rotating Disks (Aixtron G10), TaC Coated Crucibles; Tac iactaret annulos; Tac tunicas raro Graphite; Tantalum carbide iactaret graphite susceptores; Tac iactaret dux annulos; Tac Tantalum carbide iactaret laminis; Tac coarta laganum susceptatores; Tac iactaret graphite caps; Tac tunicas cuneos, etc., cum puritate minus quam 5ppm in occursum mos requisita.

Figura V. Vetisk Siconductor est calidum, vendere Tac coating products

Vetek Semiconductor est committitur ad decet in novatorem in Tantali carbide coating industria per continua investigationis et progressionem iterative technologiae. 

Si vos es interested in Tac products, placere sentire liberum contactus nos directe.

Vulgus: + 86-180 (VI) CMXXII DCCLII

Whatsapp: CLXXX CLXXX (VI) CMXXII DCCLII

Email: Anny@veteksemi.com