QR code
Products
Nobis loquere


Fax
+86-579-87223657

Email

Oratio
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi Comitatus, Jinhua urbs, Zhejiang Provincia, China
Rara graphiteest materia carbonis machinata continens retis pororum intra structuram suam graphiticam. Eius notae key includunt porositatem, amplitudinem pororum, distributionem, permeabilitatem, molem densitatem et proprietates scelerisque. In fabricandis semiconductoribus, selectis componentibus graphiticis raris puritatis summus adhibentur in carbide pii (SiC) Physica Vaporis Transport (PVT) systemata crystallina aucta ad functiones gas- onerarias et thermopolia specificas sustinendas. Materia effectus a graphite gradu, porum structura, puritate et operante condiciones pendet.
Rara structura graphite
Rara graphita est structura raro facta e graphite sicut materia basis. Materia eius graphite puritatis altae efficitur. Parametri VeTek Semiconductoris Porous Graphite physici variant secundum processum producendi et applicationem specificam. Parametri physicae communes sunt hae:
Typical physica ofraro graphite
ltem
Parameter
mole densitatis
0.89 g/cm3
Compressive vires
8.27 MPa
vires tendentes
8.27 MPa
distrahentes vires
1.72 MPa
Imprimis resistentia
130Ω-inX10-5
Porosity
L%
Mediocris porum magnitudine
70um
Scelerisque Conductivity
12W/M*K
Porous Graphite factus est summus puritatis graphite et optimum electrica conductivity, scelerisque conductivity, caliditas resistentiae, oxidationis resistentiae, chemicae stabilitatis et aliarum notarum habet. Late usus est in industria processus semiconductoris.
In processu processus semiconductoris, graphi porosi, late adhibetur in aspectibus sequentibus:
Porous Graphite coniuncta cum optima caliditatis resistentia et stabilitate chemica, ut bonum corrosionis resistendi maxime chemicis, sicut acida, alcali et menstrua, graphitica porosa saepe adhibetur in apparatu magno-temperate sintering et caloris curationis. Exempli gratia, Porous Graphite adhiberi potest ut oblinit, velit materia vel materia ad fornaces calidissimus.
Preterea
SiC Crystal Incrementum Porous Graphite ComponentOptimum electricae conductivity et scelerisque stabilitatem habet ad praebendum campum scelerisque uniformem et proprietates electricas stabilis. Hoc igitur productum saepe in diffusione vel oxidatione processus processus semiconductoris adhibetur sicut fons diffusio vel materia electrode.
Rara graphitarum raritas structuram eliquare et purgare potest vapores in processu semiconductoris adhibitos, contaminationem particulam minuere possibilem, et munditiam altam in processu curare. Cum sua porosa structura et permeabilitate aeris bona, partes graphicae porosae etiam pro basi et fixtura in systemate vacuo adsorptionis ad lagana vel alia elementa figere per vacuum adsorptionem efficientem possunt.
Processum graphite sinteringi componendo, VeTek semiconductor canmos raro graphite materiae cum diversis porum magnitudinum et porositates ad diversa applicationis necessitates.
Porous Graphite SiC Crystal Incrementum Porous Graphite Three-petal Graphite Crucible
Revera, VeTek Semiconductor absolutum forum ducens situm in Sinarum sic in foro susceptoris graphite obductis, tac graphite uasculo tincto et carbide pii mercato graphito obductis. VeTek Semiconductor est professionalis Seres Manufacturer, supplementum, Factory of Special Graphite products,utSiC Crystal Incrementum Porous Graphite, Pyrolyticus Carbon Coating, Vitreus Carbon Coating, Isotropic Graphite, Siliconized GraphiteetPrinceps Puritas Graphite Sheet. committimus solutiones provectas praebere pro variis graphide specialibus productis pro industria semiconductoris.
Si quid percontationes habes vel etiam singula egent, quaeso ne dubita nobiscum attingere.
Vulgus/WhatsAPP: +86-180 6922 0752
Inscriptio: anny@veteksemi.com
+86-579-87223657
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi Comitatus, Jinhua urbs, Zhejiang Provincia, China
Copyright © 2024 WuYi TianYao New Material Tech.Co.,Ltd. All Rights Reserved.
Links | Sitemap | RSS | XML | Privacy Policy |