SiC Crystal Incrementum Porous Graphite

SiC Crystal Incrementum graphice porosum est materia ex graphite poroso facta cum structurae pororum valde moderabili. In processus semiconductoris optimam demonstrat conductivity scelerisque, caliditas resistentiae et stabilitatis chemicae, ideo late adhibetur in depositione vaporum corporis, depositione vaporum chemicorum et aliis processibus, signanter meliorando efficientiam processus productionis et qualitatis productivae, quod fit semiconductor optimized Materiae criticae ad apparatum fabricandum perficiendum.

In PVD processus, sic crystallus incrementum raro graphite solet ut subiectum subsidium vel fixture. Eius munus est ut sustinere lagam vel alium subiectis et curare stabilitatem in materia per depositionem processus. De scelerisque conductivity of Porae Graphite est plerumque inter LXXX w / m k et CXX w / m K, quod dat raro greurge ad mores calor cito et aequaliter, devitans loci overheating, ita ne inaequaliter depositionem tenuis, ita improving processus efficientiam .

In addition, typicam Porosity range de Sic Crystalli incrementum Poruus Graphite est XX% ~ XL%. Hoc proprium potest auxilium dispergere Gas influunt in vacuo cubiculum et ne ad Gas fluxus afficiens ad uniformitatem in film accumsan in depositione processus.

In CVD processus, et raro structuram de sic crystallus incrementum Portus Graphite praebet idealis iter ad uniformis distribution gasorum. In reactivum Gas deposita super superficiem subiecti per Gas, tempus eget reactionem formare tenuis amet. Hoc processus exigit praecise imperium fluxus et distribution de reactive Gas. Et XX% ~ XL% Porosity Porae Graphite potest efficaciter ducem Gas et aequaliter distribuere super superficiem subiecti, improvidus et constantia et consistency deposita amet iacuit.

Porae Graphite vulgo usus est ut fornacem tubulis, subiecti portarent aut larva materiae in CVD apparatu, praesertim in semiconductor processus quod requirit princeps puritatis materiae et maxime princeps requisita particulata contagione. In eodem tempore, in CVD processus plerumque altum temperaturis, et robustus graphite potest ponere suam corporis et chemical stabilitatem ad temperaturis usque ad MMD ° C, faciens illud necessarium materia in CVD processus.

Quamvis raritatem suam, SiC Crystal Incrementum Graphite porosum, adhuc vim compressivam 50 MPa habet, quod sufficit ad tractandum accentus mechanicos in fabricandis semiconductoribus generatis.

Sicut princeps de raro Graphite products in Sinis scriptor semiconductor industria, Veteksemi quae semper product productum Aliquam Services et Satisfactory Product Prices. Nulla materia quid tibi propria requisita sunt, nos erit par optimum solution pro vestri raro graphite et vultus deinceps ad consultationem in omni tempore.

Praecipuae physicae proprietatibus Crystal Augmentum Porous Graphite SiC:

VeTek Semiconductor SiC Crystal Augmentum Porous Graphite producta tabernae:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry catena: