Puritas Sic Pulvis

I. Puritas: Sic Content is 99,9999%, in inmunditia contentus est valde humilis, quod reducit adversa impulsum in perficientur de semiconductor et photovoltaic cogitationes, et amplio constantia et reliability products.

II. Excellent physica proprietatibus: possidet princeps duritiam, altum viribus et altum gerunt resistentiam, ut possit ponere bonum structural stabilitatem durante processus et usum.

III. Conductors: potest cito mores calor, auxilium ad amplio calor dissipatio efficientiam de fabrica, reducere operating temperatus, ita extendens ministerium vitae fabrica.

IV. Minimum expansion coefficiente: et magnitudine mutatio est parva cum temperatus mutationes, reducendo in materia fregisset aut perficientur declines fecit per scelerisque expansion et contractionem.

V. Bonum chemical stabilitatem: acidum et alkali corrosio resistentia, potest manere firmum in complexu eget elit.

VI. Wide Band Gap characteres: cum princeps naufragii Electric Field vires et electronim satietatem egisse celeritate, idoneam ad vestibulum altum temperies, princeps pressura.

VII. Altissimo Mobility Mobility: Non est conducere ad improving opus celeritate et efficientiam de semiconductor cogitationes.

VIII. Environmental tutela: relative parvum pollutio ad environment in processus of productio et usu.

Societes industria:

- Substratum material: High Puritas Sic Powder potest adhiberi ad artifices Silicon carbide subiectis, quae possunt ad opus summus frequency, altum temperatus, princeps pressura potentia cogitationes et RF cogitationes.

Epitaxial incrementum in semiconductor vestibulum processus, summus puritas Silicon carbide pulveris potest esse sicut rudis materia ad epitaxial incrementum, quod est ad crescere summus qualis Silicon carbide epitaxial stratis in subiecto.

-Packaging Materials: High-Puritas Silicon Carbide Powder potest adhiberi fabricantibus semiconductor packaging materiae ad amplio calor dissipationem perficientur et reliability de sarcina.

Photovoltaic Industry:

Crystallino Silicon Cells: In vestibulum processus of crystallina Silicon cellulis, summus puritas Silicon Carbide pulveris potest esse ut a diffusione fons ad formationem P-n junctiones.

- Tenues film altilium: in vestibulum processus tenuis film altilium, summus puritas Silicon Carbide pulveris potest esse in scopum ad sputtering depositionem de Silicon carbide film.