Quid est tertia-generationem semiconductor industria?

Semiconductor materiae potest classificatis in tres generationes in temporibus. Prima generatione communis elementari materiae ut Germanium et Silicon, quae propria commoda commutatione et plerumque in integrated circuitus. Secundum-generatio compositis semiconductors ut Gallium Arsenide et Indium Phosphide sunt maxime in luminescent et communicationis materiae. Tertia-generation semiconductors maxime includit compositis semiconductors utEtlicon Carbideet Gallium Nitride, tum speciales elementa sicut adamas. Et sua optimum corporalis et eget proprietatibus, Silicon carbide materiae sunt paulatim cum applicantur in agros potentia et radio frequency cogitationes.

Tertium generationem semiconductors habere melius resistere voltage et sunt specimen materiae ad altus-potentia cogitationes. Tertium generationem Semiconductors maxime consistit de Silicon carbide et Gallium Nitride materiae. Et BandGap Width of SIC est 3.2EV, et quod de Gan est 3.4EV, quam longe excedit bandgap width si ad 1.12EV. Quia tertia-generation semiconductors plerumque habent latius cohortis gap, habent melius voltage resistentia et æstus resistentia, et saepe in altus-potentia cogitationes. Inter eos, Silicon carbide paulatim ingressus magna-scale application. In agro potentia cogitationes, Silicon carbide Diodes et Mosfets coeperunt commercial application.

Virtus cogitationes cum Silicon carbide quod subiectum habent magis commoda in perficientur comparari Silicon-fundatur potentia cogitationes: (I) fortior summus voltage characteres. Et naufragii Electric Field vires Silicon Carbide plus quam decies Silicon qui facit summus intentione resistentia Silicon carbide machinas significantly altior quam idem Silicon cogitationes. (II) Potius summus temperatus characteres. Silicon carbide habet altiorem scelerisque conductivity quam Silicon, faciens facillimus ad cogitationes ad dissipare calor et permittens ad altiorem ultimum operating temperatus. High-temperatus resistentia potest significantly auget potestate density dum reducendo ad requisitis ad calorem dissipationem ratio, faciens terminatio levius et minor. (III) inferioribus industria damnum. Silicon carbide habet saturation electronic electroni pereffluamus rate alterum quod de Silicon, quae facit Silicon carbide cogitationes maxime humilis on-resistentia et humilis on-damnum. Silicon carbide habet bandgap width ter, quod de Silicon, quae significantly reduces ad leakage current de Silicon carbide cogitationes comparari Silicon cogitationes, ita minuantur potentia damnum. Silicon carbide cogitationes non current tailing in vicissim-off processus, ut low switching damna, et significantly auget switching frequency in practical applications.

Secundum pertinet notitia, in-resistentia de Silicon Carbide-fundatur Mosfets eiusdem specificationem est 1/200 de Silicon-fundatur Mosfets, et magnitudine 1/10 illius Silicon-fundatur Mosfets. Nam inverters eiusdem speciei, summa industria damnum de systematis per Silicon carbide-fundatur Mosfets est minus quam 1/4 comparari ut per Silicon-secundum Igbts.

Secundum differentias in electrica proprietates, Silicon carbide subiectis potest classificatis in duas genera: Semi-insulating Silicon Carbide Substrate et PROMIXUS Silicon carbide. Haec duo genera subiecta postepitaxial incrementumSunt respectively usus ad arugnammatibus discrete cogitationes ut potentia cogitationes et radio frequency cogitationes. Among them, semi-insulating silicon carbide substrates are mainly used in the manufacturing of gallium nitride RF devices, optoelectronic devices, etc. By growing gallium nitride epitaxial layers on semi-insulating silicon carbide substrates, silicon carbide-based gallium nitride epitaxial wafers can be fabricated, which can be further made into gallium nitride RF devices ut Hemt. PROLIXUS Silicon Carbide Substratus sunt maxime usus est in fabricare de potentia cogitationes. Secus autem traditional vestibulum processus of Silicon potentia cogitationes, Silicon carbide potentia cogitationes non directe fictum in Silicon carbide subiectam. Instead, Silicon carbide epitaxial accumsan necessitates ad crevit in PROMPTURA substratum obtinere Silicon carbide epitaxial laganum et Schotty Diodes, Mosfets, Igbs et alia potentia cogitationes potest fabricari in epitaxial et alia potentia cogitationes potest fabricari in epitaxial layer.