Sic iactaret planetarum susceptator

Et sic loated planetarum susceptator est planetarium tabellarius iactaretSilicon Carbide (SIC), Quod est maxime in semiconductor materia depositione processibus ut metallum-organicum eget vapor depositione (Mocvd), Molecular trabem epitaxy (MBE), etc. eius principalis est ad portare et rotate in agro et in depositione processus. Eius principalis munus est ad portare et rotate wafers ut materia uniformitatem et scelerisque ager constantiam per depositionem et sic coating providet carrier cum optimum summus temperatus resistentia, corrosio semiconductor et scelerislaganumdispensando.

Core Application Scenarios pro Sic iactaret planetarum susceptator

Mucvd epitaxial incrementum processus

In Mocvd processum, in sicque lassus planetarum susceptator est maxime solebat portare wafers de Silicon (si), Silicon carbide (sic), Gallium Nitride (Gaas), Gallii Arsenide (Gaas), Gallium.

● Eget elit: CIRCUMSPECTATIONIS Synchronized et Synchronized rotatione de wafers ut uniformis distribution of vapor-deposita materiae in laganum superficiem et augendae uniformitatem film crassitiem et compositionem.

● Commodum: SIC coatings sunt altus corrosio repugnans et potest resistere exesa altus reactive metallum organicum precursors ut trimethylgallium (TMGA) et trimethylindium (Tmin), extendens eorum ministerium vitae.

Silicon Carbide (SIC) Power fabrica vestibulum

Sic late late late late late in planetary in epitaxial incrementum in siccitatibus consilia, ut Mosfet, igbt, SBD et alia cogitationes.

● Eget elit: Provide a stabula scelerisque aequatione suggestu in altum temperatus environments ut epitaxial layer crystallization qualis et defectus imperium.

● Commodum: SIC coatings repugnant ad altum temperatus (> MDC ° C) et coefficiens de scelerisque expansion (4.0 ^ X ^ -6 k ^ -1), ad quod de Silicon carbide et amplio qualis et stabilitatem epitalis et amplio qualitas et stabilitatem epitalis et amplio qualitas et stabilitatem epitalis et amplio qualitas et stabilitatem epitalis et amplio qualitas et stabilitatem epitalis layer.

Ultraviolet altum (Duv) et ultraviolet DUXERIT epitaxial vestibulum

Et sic coarta planetarum susceptator est idoneam ad epitaxial augmentum materiae ut Gallium Nitride (Gan) et Aluminium Gallium Nitride (Algan), et Leds in vestibulum UV-LEDs et Leds.

● Eget elit: Ponere precise temperatus potestate et uniformis airflow distribution ut intus accurate et fabrica perficientur.

● Commodum: Altus scelerisque conductivity et oxidatio resistentia patitur pro optimum stabilitatem ad altum temperaturis per longum periodos operandi, auxilio ad amplio luminosum efficientiam et constantiam duxit eu.

Eligere vekemicon

Veteksemicon SIC planetarum susceptator est demonstratum irreplaceable commoda in altum temperatus, mordax semiconductor artifex environments per suum unicum materiam proprietatibus et mechanica consilio. Et noster planetarum susceptator products sunt Sicplicia planetarum susceptatorisAld planetarum susceptator, Tac coating planetarum susceptatorEt sic porro. In eodem tempore, Veteksemicon est committitur providing customized products et technica officia ad semiconductor industria. Nos sincere vultus deinceps ad esse tuum diu-term socium in Sinis.