Vetek Semiconductor est penitus versantur in Sicque coating products pro multis annis et facti sunt ducit manufacturer et elit de sic linuit summo laminam pro LPE pe2061s in Sinis. Et sic loated summo laminam ad LPE pe2061s nos providere est disposito LPE Silicon epitaxial reactors et sita in vertice una cum dolium basi. Hoc Sic tunicas Top laminam pro LPE Pe2061s habet optimum habet rationem, ut princeps puritatis, optimum scelerisque stabilitatem et uniformitatem, quod adjuvat ad altum-qualitas epitaxial stratis. Non refert quid productum opus, expectamus inquisitionis.
VeTek Semiconductor Sinarum SiC Coated Top Plate professio est pro fabrica et elit PE2061S LPE.
VeTeK Semiconductor SiC Coated Top Plate pro LPE PE2061S in apparatu epitaxiali siliconis, in coniunctione cum dolii speciei corporis susceptoris ad sustentationem et lagana epitaxialem (vel subiecta) durante processu epitaxiali.
Et sic loated summo laminam ad LPE Pe2061s est typically factum est summus temperatus stabilis graphite materia. Vetek Semiconductor diligenter considerat factors ut scelerisque expansion coefficientem cum eligens aptissimum graphite materia, cursus fortis vinculum cum Silicon carbide coating.
Et sic tunicas Top laminam ad LPE pe2061s exhibet optimum scelerisque stabilitatem et chemical resistentia resistere summus temperatus et corrosi environment in epitaxy incrementum. Hoc ensures diu-term stabilitatem, reliability, et tutela lagana.
In Silicon epitaxial apparatu, in primaria munus totius CVD sic tunicas reactor est ad suscipere lagana et providere uniformis subiecto superficie ad incrementum epitaxial stratis. Praeterea, quod concedit in adjustments in loco et orientation de lagana, facilius imperium super temperatus et fluidi dynamics durante incrementum processus ad consequi desideravit incrementum conditionibus et epitaxial accumsan appetiit.
VeTek semiconductoria producta altam praecisionem et crassitudinem efficiens aequalem offerunt. Incorporatio quiddam iacuit etiam producti temporis spatium. in apparatu epitaxiali pii, in coniunctione cum susceptore corporis dolii typo sustinendi et uncta epitaxial (vel subiecta) durante processu incrementi epitaxialis.
Basicae physicae proprietates CVD SiC efficiens:
Basic physica proprietatibus CVD sic coating
Property
Typical Value
Crystal Structure
FCC β Phase polycrystallina, maxime (111) ordinatur
Densitas
3,21 G / CM³
Durities
MMD Vickers duritiem 500g onus
Frumea magnitudine
II ~ 10mm
Chemical castitas
99,99995%
Calor Capacity
DCXL J · k-1· K-1
Sublimation Temperatus
MMDCC ℃
Flacalis fortitudinem
415 MPa RT 4-punctum
Modulus
CDXXX GPA 4pt flectere, MCCC ℃
Scelerisque Conductivity
300W · M-1· K-1
Thermal Expansion (CTE)
4.5 × X-6K-1
VeTek Semiconductor Production Shop
Overview de Semiconductor chip epitaxy Industry catenae:
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Crusulis utimur ut meliorem experientiam pasco tibi praebeamus, situm negotiationis et personalize contentus analyse. Hoc situ utendo, ad nostrum crustulorum usum consentis. Privacy Policy