Cvd sic coating dolium susceptos

Epitaxy incrementum est processus of crescente unum crystallum amet (una crystallum layer) in unum crystallum subiecti (subiectum). Hoc unum crystallum film dicitur epilayer. Cum epilayer et subiectum fiunt eiusdem materia, dicitur homo homumepitaxial incrementum; Cum fiunt ex diversis materiae, quod dicitur heteroepitaxial augmentum.

Secundum ad structuram de epitaxial reactionem cubiculum, ibi sunt duo genera: horizontalis et verticalis. Et susceptos in ardenti verticali epitaxial fornacis continuat continue per operationem, ita habet bonum uniformitatem et magnam productio volumine, et facti sunt in carminis epitaxial incrementum solution.The CVD sic coating in Core Consumptor SOLLACTORIUM. Et Vetisek Semiconductor est productio peritus sic iactaret graphite hydriam suspendor ad epi.

In epitaxial incrementum apparatu ut Mucvd et Hvpe, sic iactaret graphite hydriam susceptatores sunt ut figere in laganum ut manet firmum durante incrementum processus. Et laganum posita in dolium genus susceptos. Sicut productio processus procedit, ad susceptos rotat continue ad calefacere laganum aequaliter, cum laganum superficiem est patere ad reactionem Gas fluxus, ultimately est in uniformis epitaxial incrementum.

CVD sic coating dolium genus susceptator schematic

Et epitaxial incrementum fornacem est summus temperatus environment repleti cum mordax vapores. Vincere talis dura environment, Vetisek semiconductor addidit iacuit Sicing ad graphite hydriam susceptos per CVD methodo obtinendae sic iactaret graphite hydriam susceptam

Structural Features:

●  Uniformis temperatus distributionEt dolium informibus structuram potest distribute calorius magis aequaliter et vitare accentus vel deformatio laganum debitum ad loci overheating vel refrigerationem.

●  Redigendum airflow commotio: De Design de dolium informibus susceptos can optimize in distribution airflow in reactionem thalamum, permittens in Gas ad influunt aequaliter super superficiem in laganum, quod adjuvat ad generat in plana et uniformis, quod adjuvat ad generat in plana et uniformis, quod adjuvat ad generare plana et uniformis epitaxial accumsan.

●  Gyrationis mechanism: De gyrationis mechanism in dolium informibus susceptator amplio crassitudine constantia et materiam proprietatibus epitaxial layer.

●  Magnam scale productio: De dolium informibus susceptator potest ponere suum structural stabilitatem cum portans magnas lagana, ut CC mm vel CCC mm wafers, quod est idoneam magnam, scale massa productio.

Vetek Semiconductor cvd sic leo coating dolium genus susceptator est composita ex summus puritate graphite et cvd sic coating, quod dat ad susceptam et opus diu in mordendo et firmum mechanica et habet bonum scelerisque conductivity et firmum mechanica et habet bona in conductivity et firmum mechanica et habet bona in conductivity et firmum mechanica et habet bona in conductivity et firmum mechanica et habet bona in conductivity et firmum mechanicas et habet bonum inueniens. Ut ad laganum calescit aequaliter et consequi praecise epitaxial incrementum.

Basic physica proprietatibus CVD sic coating

Basic physica proprietatibus CVD sic coating
Res	Typical valorem
Crystal structure	FCC β tempus Polycrystalline, maxime (CXI) Oriented
Densitas	3,21 G / CM³
Durities	MMD Vickers Duritia (500g Load)
Frumea magnitudine	II ~ 10mm
Chemical castitas	99,99995%
Calor	DCXL J · k-1· K-1
Sublimation Temperatus	MMDCC ℃
Flacalis fortitudinem	CDXV MPA Rt IV-Point
Young 's modulus	CDXXX GPA 4pt flectere, MCCC ℃
Scelerisque conductivity	300W · M-1· K-1
Thermal Expansion (CTE)	4.5 × X-6K-1

Vetek Semiconductor cvd sic coating dolium genus susceptator