Silicon Carbide Nanomaterials

Silicon Carbide Nanomaterials

Silicon Carbide Nanomaterials (Sic Nanomaterials) referuntur ad materiae composito exSilicon Carbide (SIC)Cum saltem dimensionem in Nanometer scale (plerumque definitur 1-100nm) in tres dimensiva spatium. Silicon Carbide Nanomaterials potest classificatis in nulla dimensiva, unum dimensional, duo dimensiva et tres dimensiva structuras secundum structuram.

Nulla dimensional NanostuctruisSunt structurae quorum omnes dimensiones sunt in nanometer scale, maxime inter solidum nanocrystals, cavae nanosphaerae, cavae nanocages et core concha nanosphaeras.

Unum-dimensional NanostuctruisQuaere ad structuras quibus duo dimensiones sunt in nanometer scale tres dimensional spatium. Hoc structuram habet plures formas, inter Nanowires (solidum centrum), Nanotubes (cavae centrum), Nanobelts et Nanoprisms (PMTRISCERSUS crucem-section). Hoc structuram facta est focus intensive investigationis ex suum unicum applications in mesoscopic physica et nanoscale fabrica fabrica. Exempli gratia, carriers in unam-dimensional nanostratructures non potest propagare in unam partem structuram (i.e., longitudinalis directionem Nanotube et NanoDube), et potest esse quod internececta et key cogitationes in Nanoelectronics.

Duo dimensional Nanostuctruis, which have only one dimension at the nanoscale, usually perpendicular to their layer plane, such as nanosheets, nanosheets, nanosheets and nanospheres, have received special attention recently, not only for the basic understanding of their growth mechanism, but also for exploring their potential applications in light emitters, sensors, solar cells, etc.

Tria-dimensional NanostuctruisPlerumque dicuntur complexu Nanostuctruis, quae formatae a collection of unus vel basic structural unitatum in nulla dimensiva, dimensional, et duo dimensiva (ut nanowires aut nanorods connectit in nanometer vel Nanorods coniungitur in nanometer et micrometer elit. Tales complexu Nanostratructures cum excelsum superficiem area per unitas volumine providere multis commoda, ut diu optical semitas ad efficiente lucem effusio, ieiunium interfacialem crimen translationem, et tunicam onerariam capabilities. Hae commoda activare tres dimensional Nanostuctructures premium in futurum industria conversionem et repono applications. Ex 0D ad 3D structurae, a varietate nanomaterials studied et paulatim introduced in industria et cotidiana vita.

Synthesis modi de SIC Nanomaterials

Nulla-dimensiva materiae potest esse synthesized per calidum ad conflandum modum, electrochemical etching modum, laser pyrolysis modum, etc. obtinereSic solidumNanocrystals vndique a paucis nanometers ad decem nanometers, sed plerumque pseudo-sphaerica, ut ostensum est in figura I.

Figura I Tem imagines de β-sic Nanocrystals paratus per diversas modos

(A) solvoThermal synthesis [XXXIV]: (B) Ratio electrochemical etching [XXXV]; (C) scelerisque processui [XLVIII]; (D) laser Pyrolysis [XLIX]

Dasog et al. Synthesized sphaerica β-sic Nanocrystals cum moderanda magnitudine et patet structuram per solidum-re publica geminus compositione reactionem inter Sio2, MG et C pulveres [LV], sicut ostensum est in Figura II.

Figura II Fesem imagines Sphaericae sic Nanocrystals cum diversis diamets [LV]

(A) 51.3 ± 5.5 NM; (B) 92,8 ± 6.6 NM; (C) 278,3 ± 8.2 NM

Vapor tempus pro crescente sic Nanowires. Gas Phase synthesis est maxime mature modum formatam sic Nanowires. In typical processus, vapor substantiae usus est reactants ad formare finalem uber sunt generatae per evaporatio, eget reductionem et gaseous reactionem (requiring caliditas). Licet altum temperatus augetur additional industria consummatio, in Sic Nanowires crevit per hoc modum plerumque habere altum crystal integritas, patet NanOrowires / Nanorods, Nanocables, Nanotubes, NanOrocables, Nanotubes, NanOrocables, Nanotubes, NanOrods, Nanocables, Nanotubes, NanOrocables, Nanotubes, NanOrocables, Nanotubes, Nanocables, Nanotubes, ut ostensum est in III.

Figura III typical morphologiis unius-dimensional sic nanostratructures 

(A) Nanowire arrays in carbonis fibris; (B) Nanowires Ultralong in ni-si balls; (C) Nanowires; (D) Nanoprisms; (E) Nanobamboo; (F) Nanoneedles; (G) Nanobones; (H) Nanochins; (I) Nanotubes

SOLUTIO modum ad praeparatio sic Nanowires. Solutio modum adhibetur parare sic Nanowires, quod reducit reactionem temperatus. Et modum potest includere crystalling solutio phase praecursorem per spontanea chemical reductionem vel alias reactiones ad relative mitis temperatus. Sicut repraesentativa solution modum, solvThermal synthesis et hydrothermal synthesis fuisse communiter ad obtinendum sic Nanowires ad humilis temperaturis.

Duo-dimensional Nanomaterials potest parari per solvothermal modi, pulsed lasers, carbonis scelerisque reductionem, mechanica exfoliation et Proin Plasma auctaCvd. Ho et al. Intellexit 3D sic Nanostucture in figura de Nanowire flos, ut ostensum est in Figura IV. Quod sem imago ostendit quod flos-sicut structuram habet diameter 1-2 μm et longitudinem 3-5 μm.

Figura IV sem imago trium dimensional sic Nanowire flos

Perficientur de Sic Nanomaterials

Sic Nanomaterials sunt provecta Ceramic materia cum optimum perficientur, quod habet bonum corporalis, eget, electrica et aliis proprietatibus.

✔ Physica proprietatibus

High durum: et Microrsordess Nano-Silicon Carbide est inter corundum et adamas, et mechanica vires altior quam corundamen. Is est princeps gerunt resistentia et bonum auto-lubricatae.

High scelerisque conductivity: Nano-Silicon Carbide habet optimum scelerisque conductivity et est optimum scelerisque PROLIXUS materia.

Minimum scelerisque expansion coefficient: hoc concedit Nano-Silicon carbide ad ponere firmum magnitudine et figura sub altum temperatus conditionibus.

Altus specifica superficies area: unum de characteres Nanomaterials, quod est conducere ad improving eius superficiem actionem et reactionem perficientur.

✔ Eget proprietatibus

Chemical stabilitatem: Nano-Silicon Carbide habet stabile eget proprietatibus et potest ponere suum perficientur immutata sub variis ambitus.

Antioxidation: Potest resistere oxidatio ad altum temperaturis et exhibet optimum caliditas resistentia.

✔Electrica proprietatibus

Maximum BandGap: et princeps BandGap facit idealis materia pro summus frequency, summus potentia et humilis-navitas electronic cogitationes.

Motus excelsum electronic Saturation mobilitatem, quod est conducere ad celeri tradenda electrons.

✔Alias

Fortis Radialis resistentia: Non potest ponere firmum perficientur in radiatione environment.

Bonum mechanica proprietatibus: Non est optimum mechanica proprietatibus ut altum elastica modulus.

Applicationem de Sic Nanomaterials

Electronics et Semiconductor cogitationes: Ob ad optimum electronic proprietatibus et altus-temperatus stabilitatem, Nano-Silicon carbide est late in altus-potentia electronic components, summus frequency machinas, optoelectronic components et aliis agris. Simul, etiam est unum de specie materiae ad vestibulum semiconductor cogitationes.

Optical applications: Nano-Silicon carbide habet lata bandgap et optimum optical proprietatibus, et potest ad fabricare princeps-perficientur lasers, LEDs, photovoltaic cogitationes, etc.

Mechanica partes: Unguine eius princeps duritia et gerunt resistentiam, Nano-Silicon carbide habet amplis de applications in fabricantium mechanicas partes, ut summus celeritas secante instrumenta, quod potest valde amplio ad gerunt resistentiam et servitium vitae.

Nanocomposite Materials: Nano-Silicon carbide potest cum aliis materiae ad formare Nanocomposites ad amplio mechanica proprietatibus, scelerisque conductivity et corrosio resistentia ad materiam. Hoc Nanocomposite materia est late in aerospace, automotive industria, industria agro, etc.

Princeps temperatus fabrica materiae: NanoSilicon CarbideHabet optimum summus temperatus stabilitatem et corrosio resistentia, et potest esse in extrema summus temperatus environments. Ideo usus est in altum temperatus structural materia in aerospace, petrochemical, metallurgy et alia agri, ut vestibulumHigh Toperina Topices, caminus, fornacem Linings, etc.

Applications: NanoSilicon carbide est etiam in hydrogenii repono, photocatalysis et sentiens, showing lata application spes.