Pii Carbide Coated Epi Susceptor

Epitaxia semiconductor ad incrementum tenuis cinematographici cum certis cancellis structurae in superficie materiae subiectae per modos ut gas phase, liquidum tempus vel trabem hypotheticam depositio, ita ut stratum cinematographicum tenue nuper creverit (stratum epitaxiale) habet. eadem vel similis cancelli structurae et propensionis substratae. 

Epitaxy technology est crucial in semiconductor vestibulum, praesertim in praeparatione summus qualitas tenuis films, ut unum crystallum stratis, heterostructures et quantum structuras usus est ad artifices summus perficientur cogitationes.

Et Silicon carbide tunicas epi susceptator est a key component solebat sustinere subiectum in epitaxial incrementum apparatu et late in Silicon Epitaxy. Et qualis et perficientur de epitaxial pedestal recta afficiunt incrementum qualitas epitaxial iacuit et ludere a vitalis partes in ultima perficientur de semiconductor cogitationes.

Vetek Semiconductor tunicas iacuit de sic coating in superficie SGL Graphite by CVD methodo, et adeptus sic iactaret epi susceptator cum proprietatibus ut altum temperatus resistentia, oxidatio resistentia, corrosio resistentia et thermal uniformitatem.

In dolio typico reactor, carbide silicon bitumen Epi susceptor dolii structuram habet. Fundum SiC bituminatum Epi susceptore rotali stipite iungitur. Per processum incrementi epitaxialis, alternis horologicis et counterclockwise rotationem conservat. Gas reactionis cameram per colliculum reactionem intrat, ita ut gas fluxus satis uniformem distributionem in camera reactionis format, ac tandem incrementum epitaxiale uniforme efformet.

Memoria massa in relatione massa tunica graphite et oxidatio tempore

Eventus studiorum editorum monstrant 1400℃ et 1600℃, massa graphite SiC obductis minime augeri. Hoc est, SiC graphite obductis facultatem antioxidant validam habet. Ergo, SiC obductis Epi susceptor diu in fornacibus maxime epitaxial laborare potest. Si plus requisita aut necessitates nativus habes, pete nobis. optimae qualitati SiC solutiones susceptorum susceptorum Nos committimus providendo SiC.

Basicae physicae proprietates CVD SiC coating

Et semiconductorPii Carbide obductis Epi susceptor shops