Tafer Tractable finem Effector

Wafer Handling finem Effector est genus robot manu disposito specifically pro Semiconductor industria, solebat ad tractamus et transferrewafers. Productio environment of wafers requirit maxime alta munditiam, quia minima particulas aut contaminantium potest facere eu ut deficere in dispensando. 

Ceramic materiae late usus est in fabricare de his manibus debitum ad eorum optimum corporalis et eget proprietatibus.

Puritas et compositionem

In puritate Alumina est plerumque ≥99.9% et metallum impudicities (ut mgo, Cao, sio₂) sunt, in 0,05% ad 0,8 ad amplio resistentia ad plasma etching.

α-phase alumina (corundum structure) est pelagus, in crystal genus est firmum, densitas est 3.98 g / CM³, et ipsa 3.9 g / CM³.

Mechanica res

Durities: Mohs duritiem IX ~ 9.5, Vickers Durness MDCCC ~ MMC HV, altior quam immaculatam ferro et muro.

Flectens vires: CCC ~ CD MPA, quae potest resistere mechanica accentus ex summus celeritas tractantem laganum.

Elastica modulus: CCCLXXX ~ CD GPA, ut tractantem brachium est rigidum et non facile ad deformare.

Thermal et electrica proprietatibus

Scelerisque conductivity: XX ~ XXX w / (m k), adhuc ponere firmum velit (resistentibus>, 10⁴⁴ ω · cm).

Temperatus resistentia: Long-term usum temperatus potest pervenire DCCCL ~ MCCC ℃, idoneam ad vacuum altum temperatus environment.

Superficiem ratio

AGRESSUS: Raion 0.2μm (Post Polising) ad vitare lagae scalpit

Vacuum adsorption Porosity: Cavo structuram effectum per Isostatic urgeat, porosity <0.5%.

Secundo, structural design features

Levish et vires Optimization

Per an integrated CUMATIUM processus, pondus est tantum 1/3 de metallum brachium, reducendo positioning errorem fecit per inertiae.

Finis-effector est disposito ut a target aut vacuo absorber, et contactus superficies est iactaret cum antistatic coating ne laganum a contaminating in DCCX per electrostatic adsorption.

Pollutio

Altus puritas Alumina est chemica inerti, non dimittis metallum iones et occurrat in semi F47 munditia vexillum (particula pollutio

Tertio, vestibulum processus requisita

Formatam et morticantes

Isostatic urgeat (pressura CC ~ CCC MPa) ut ad materiam density> 99.5%.

High caliditas (MDC ~ MDCCC ℃), frumenti magnitudine imperium in I ~ 5μm ad statera vires et lentitia.

Praecisione machining

Diamond Pectus Doctrina, Dimensional accuracy ± 0.01mm, glacies ≤ 0.05mm / m

Semicon Products Shops: