Aluminium Nitride Ceramic Disc

Vetek Semiconductor aluminium nitride tellus laminam est specimen insulating tellus productum cum excelsum scelerisque conductivity, humilis expansion coefficientem, altum vires, altum temperies resistentia, chemical corrosio damnum, excelsum resistentia et humilis dielectric damna. Aluminium Nitride LATERAMEN potest reponere toxicus Beryllium Oxide LATERAMEN et late in electronics industria.

Euismod Blog:

Comparari Alumina Ceramics, Aluminium Nitride habet princeps scelerisque conductivity, ad C gradus Celsius, theermal conductivity est supra 170w / m.k, et in scelerisque de Aluminium Aluminium est de Aluminium.

Et duritiam aluminium nitride tellus materia est plerumque IX mohs duritiam, quod significat quod duritiam aluminium nitride Ceramicae est valde altum, secundo modo ad Diamond, in sicondusp vires.

In linearibus expansion coefficiens huius generis Ceramic solet in range de IV ad V × X ^^-6/ ℃, quae facit eam magis matched cum expansion coefficiens metallum materiae, auxilium ad redigendum generatio accentus et thErmal accentus per temperatus mutationes.

Simul cendens vires Aluminium nitride LATERAMEN solet inter CCC et DCC MPa, quod est altior quam multis aliis Ceramic materiae ut Zirconia et alumina.

Temperature in verbis, aluminium nitride LATERAMEN potest operari stabiliter in altum caliditas amet, et usum temperatus pervenire plus MD ℃, quod est idoneam caliditas processibus et applications.

In addition ad suum resistentia inerti vapores, aluminium nitride tellus disci exhibet optimum chemical stabilitatem et excelsum resistentia ad mordace media ut acida et alkalis, ut late in eget industria.

Aluminium Nitride Ceramic High habere altum resistentivity, plerumque inter X ^¹⁴et X ^¹⁵· Ω cm, quae est idonea ad occasiones ubi electrica velit proprietatibus requiritur. Aluminium Nitride LATERAMEN est valde low dielectric damnum, quod est industria damnum reduci in dielectric applications.

Applicationem regio:

Semiconductor: nam potentia modules (ut IGGTS), summus potentia chip carriers, solidum-statu relationes, etc., ut providere efficiens scelerisque MMMCDX administratione.

Electronic substrati, sicut tenuis film / densissima film circuitu tabula, suscipio princeps praecisione machining (E.G. Polishing ad Ra 0.3μm superficiem asperitatem) CDX.

RF / Proin cogitationes: Minimum dielectric damnum (Tanδ ×× 10⁻⁴, 1mhz), idoneam ad altum frequency circuitu tabula MXVIII.

Alia Industrial missionibus: ut vacuum coating apparatu partibus, hig

Processing et customization servicia

Precision machining: Support Cutting, EXERCITATIO, molere, Polising (Superficiem asperitas A Sursum usque ad 0.3μm) et customized speciale informibus structura CDX.

Superficiem curatio: De Sexeded substrati potest esse rursus processionaliter ad amplio superficiem lenitate (E.G., ex XXX microinch ra ad I microinch ra) IV.

Et semiconductorAluminium Nitride Ceramic Disc Products Shops: