Sic coating Halfmoon Graphite partes

In reactionem camera in sic epitaxial incrementum fornacem, in sicque coating halfmoon graphite partes sunt clavis components ad optimizing Gas influunt distribution, scelerisque agro imperium, et reactionem atmosphaeram uniformitatem. Sunt plerumque ex Sic coatinggraphitedesignata in dimidia lunae figura, in superioribus et inferioribus partibus graphitae reactionis cubiculi circumfuso area subiecta.

    •Superior pars dimidia graphite: in superiore parte cubiculi reactionis inauguratus, prope gas- sativas, responsabilis est ut gasi reactionem regens ad superficiei subiectam fluat.

    •Inferior pars dimidia graphite: in fundo reactionis cubiculi, plerumque infra possessorem subiectum, moderari solebat directionem gasi fluere ac optimize campum scelerisque et distributionem gasi in fundo subiecti.

PerSic epitaxy processusIn superiore dimidium-luna graphite pars adjuvat guides fluxus ut aequaliter distribui in subiecto, ne ad Gas a directe impacting subiectum superficiem et causing loci overheating vel airflow turbulenas. Inferius dimidium-luna graphite pars permittit in Gas ad influunt aequaliter per subiectum et deinde dimitti, cum ne turbulentus afficiens incrementum uniformitatem epitaxial iacuit.

Secundum dispositionem campi scelerisque

SiC coating components repugnant temperaturis et thermally conductive, sic VeTek semiconductor dimidiae partis lunae longam vitam habent. Diligenter ordinatur, partes graphitae nostrae dimidiatae pro epitaxia SiC in plures reactores epitaxiales compaginari possunt, adiuvans ad meliorem altiorem efficientiam et constantiam processus fabricationis semiconductoris. Quaecumque partes graphitae SiC efficiunt Halfmoon opus est, pete VeTek Semiconductor contactum.

WatsemiSiC coating halfmoon graphite parts shops: