Mucvd sic coating susceptos

Et semiconductorMOCVD SiC Susceptor Coating factus est summus qualitasGraphite, Quod est electus ad suum scelerisque stabilitatem et optimum scelerisque conductivity (de 120-150 w / m K). Inhaerens proprietatibus graphite facere idealis materiam ad resistere dura conditionibus interiusMucvd reactors. Ut amplio eius perficientur et extend ad suum officium vita, in graphite susceptator diligenter iactaret cum iacuit de Silicon carbide (sic).

MOCVD SiC Coating Susceptor est clavis componentis ususvapor chemicus depositio (CVD)etmetalli organici vaporum chemicorum depositio (MOCVD) processuum. Et principalis munus est ut subsidium et calor Silicon aut Silicon carbide (microform) wafers et ensure uniformis Gas depositionem in altum temperatus environment. Est necessaria productum in semiconductor processus.

Applications of Mocvd sic loricis susceptos in semiconductor processus:

Azymum firmamentum et calefactio:

MOCVD SiC efficiens susceptor non solum munus validum sustinet, sed etiam efficaciter calefacitlaganumaequaliter ad curare stabilitatem de eget vapor depositione processus. Per depositionem processus, in excelsum scelerisque conductivity de sic coating potest cito transferre calor industria ad omnem area de lagestre, avoiding loci overheating et insufficiens temperatus, ita per ensuring in chemical gas potest esse aequaliter depositum in laganum superficiem. This uniform heating and deposition effect greatly improves the consistency of wafer processing, making the surface film thickness of each wafer uniform and reducing the defect rate, further improving the production yield and performance reliability of semiconductor devices.

Epitaxy Augmentum:

InMOCVD processum, Sic iactaret carriers sunt clavis components in epitaxy incrementum processus. Et in specie solebant sustinere et calor Silicon et Silicon carbide wafers, cursus materiae in chemical vapor tempus potest esse uniformiter et verius deposita super laganum superficiem, ita formatam summus qualitas, defectus libero tenuis film structuras. SIC coatings non solum repugnant ad altum temperaturis, sed etiam ponere chemical stabilitatem in complexu processus ambitus vitare contaminationem et corrosio. Igitur sic tunicas carriers ludere a vitalis munus in epitaxy incrementum processus of altus-praecisione semiconductor cogitationes ut sic potentiam cogitationes (ut sic Mosfets et Diodes LEDs), et Photovoltaic et Ultraviolet Leds), et Photovoltaic Solari et Cellulis.

Gallium Nitride (GaN)et Gallium Arsenide (GaAs) Epitaxy:

SiC vehicularibus obductis sunt necessaria electio ad incrementum GaN et GaAs epitaxial stratis ob optimas conductivitates scelerisque et humilis scelerisque expansionem coefficiens. Efficiens conductivity scelerisque caloris in incremento epitaxiali aequaliter distribuere potest, ita ut singulae materiae depositae in temperatura moderata aequaliter crescere possint. Eodem tempore, SiC humilis scelerisque expansio permittit ut dimensionally stabilis sub nimia temperatura mutationibus manere permittat, efficaciter reducendo periculum lagani deformationis, ita ut altam qualitatem et constantiam tabulae epitaxialis procurans. Haec factura tabellarios SiC iactaret optimam electionem ad fabricandum summus frequentiam, summus potentiae electronicarum machinarum (ut GaN HEMT machinas) et communicationes opticas et machinas optoelectronic (ut lasers et detectores GaAs-substructio).

Et semiconductorMucvd sic coating susceptator shops: