CVD sic coating COLLUM

Vetek Semiconductor est specialized manufacturer of CVD sic coating accessiones pro epitaxial cogitationes sicut CVD sic coating Halfmoon partibus et accessorium CVD SIC coating nozzels.welcome inquisitionis nobis.

Pe1o8 est plene automatic cartridges ad cartridges ratio disposito ad tractamusSiC laganaad 200mm. Forma potest esse switched inter CL et CC mm, minimizing tool downtime. Reductionem calefactio crescit productivity, cum automation reducit laborem et amplio species et repeatability. Ut efficiens et sumptus-competitive epitaxy processus, tria principalis factors sunt relata: 

● ieiunium processus;

●   Altitudo   crassitudinis   et   aequalitatis   doping  ;

● minimization defectum formationis in epitaxy processus. 

In PE1O8, massae graphitae parvae et onus latae / ratio expositae sinunt vexillum currere minus quam 75 minuta perfici (vexillum 10µm Schottky diode formula incrementi 30µm/h utitur). Automatic ratio loading/explicationes ad altas temperaturas concedit. Quam ob rem tempora brevia sunt calefactio et refrigeratio, dum coquendi gradus inhibetur. Haec optima conditio permittit incrementum verae materiae non inexpugnatae.

In processu epitaxiae carbidae Pii, CVD SiC Coating Nozzles munus magnum habent in incremento et qualitate epitaxialis stratis. En explicatio partium nozzlium in .Silicon carbide epitaxy:

● Gast Supple et Imperium: Nozzles sunt ad libera Gas mixtisque requiritur in epitaxy, inter Silicon Source Gas et ipsum fontem Gas. Per nozzles, Gas fluxus et rationes potest esse pressius imperium ut uniformis incrementum epitaxial iacuit et desideravit chemical compositionem.

Temperature Control: Nozzles et auxilium in moderantum temperatus intra epitaxy reactor. In Silicon carbide epitaxy, temperatus est discrimine elementum afficiens incrementum rate et crystal qualitas. Per providing calorem et refrigerationem Gas per nozzles, incrementum temperatus de epitaxial layer potest esse adaequatum ad optimal incrementum conditionibus.

Gas O DistributionConsilium nozzlium influit uniformem distributionem gasi intra reactoris. Fluxus gasi uniformis distributio efficit uniformitatem stratis epitaxialis et crassitudine constantem, quaestiones vitantes ad qualitatem materialem non-uniformitatem pertinentium.

● Ne impuritas contaminationem: Proprium consilium et usus nozzulorum adiuvare possunt ad immunditiam contaminationem in processu epitaxy prohibere. Collum consilium idoneum regit verisimilitudo immunditiae externae intrantis reactor, ad puritatem et qualitatem epitaxialis tabulae procurans.

CVD sic coating film crystal structure:

Basicae physicae proprietates CVD SiC efficiens: