Industria News

Pii carbide (SiC) PVT incrementum involvit cyclum gravem thermarum (locus temperatus supra 2200 ). Ingens vis scelerisque generata inter tunicam et graphitum subiectam propter mis- pares in coefficientibus expansionis scelerisque (CTE) est nucleus provocatio determinans vitam tunicam et applicationem constantiam.

In carbide Pii (SiC) PVT processum incrementum crystallum, firmitas et uniformitas campi scelerisque directe determinant rate incrementum crystallum, defectum densitatis et uniformitatem materialem. Cum systema circumscriptio, thermopolia thermophysica proprietates superficies thermophysicas exhibent, quarum leves ambiguae dramaticales sub condiciones altae temperatae ampliantur, tandem ad instabilitatem ducens ad incrementum interfaciei.

In processu carbidi Pii crescentis (SiC) crystallis per modum Vaporis Transporti Physici (PVT) methodus, extrema caliditas 2000-2500 °C est "gladius anceps" - dum sublimationem et onerationem materiarum fontium impellit, etiam dramatically auget immunditiam ab omnibus materiis intra systematis campi thermarum, praesertim elementa metallica, quae in graphite conventionali continentur. Postquam hae immunditiae intrant incrementum instrumenti, directe laedent qualitatem cristalli. Haec est fundamentalis ratio cur tantalum carbidum (TaC) coatings "optionem amet" potius quam "electionem libitum" pro PVT crystalli augmento factam esse.