Industria News

Silicon carbide est unum de specimen materiae pro summus temperatus, summus frequency, summus potentia et summus voltage cogitationes. Ut meliorem productio efficientiam et reducere costs, praeparatio magna-amplitudo Silicon Carbide Substrate est momenti progressionem directionem.

Secundum ad transmarinis nuntium, duo fontes revelata in June XXIV, quod perotance est opus cum US chip consilio comitatu broadcom ut develop an provectus artificialis intelligentia (A. ACTECTUM COMMENTARIUS, quae erit auxilium Baptance inter tensiones inter Sina Et Civitatibus Foederatis Americae.

Cum fabrica primarius in industria Sic, motus Optoelectronics Sanan cognatus magnam diligentiam in industria suscepit. Nuper Sanan Optoelectronics seriem recentium evolutionum quae inducunt 8-inch transformationum, novarum fabricarum subiectarum effectio, novarum societatum instauratio, subsidiorum regimen et alia facies detexit.

In incremento SiC et AlN singulae crystallis utentes modum onerarii physici vaporum (PVT) methodi cruciales, qualia sunt uasculum, semen possessor et anulus ductor munus vitale exercent. Depingitur in Figura 2 [1], durante processu PVT, semen crystallum in regione temperatura inferiore collocatur, dum Materia rudis SiC superioribus temperaturis obnoxia est (supra 2400 ℃).