Horizontal SiC Wafer Portitorem

Deals semiconductor estHorizontalis sic wafer carrier/ Navis est maxime princeps liquescens punctum (circiter MMDCC ° C), quod datHorizontalis sic wafer carrier/ Cymba ad opus stabiliter in altum temperatus environments absque deformatio vel degradation. Hoc pluma est maxime momenti in semiconductor vestibulum processus, praesertim in processus ut summus temperatus annealing vel eget vapor depositione (CVD).

InHorizontalis sic wafer carrier/Navem specialiter agit sequentes partes in processu lagani portandi;

Silicon laga portantes et firmamentum: Et horizontali Sic lana navi est maxime ad portare et firmamentum Silicon wafers durante semiconductor vestibulum. Potest firmiter disponere multa Silicon wafers simul ut manent in bono statu et stabilitatem per totum processus processus.

Uniformis calefactio et refrigerationem: Ob ad excelsum scelerisque conductivity of SIC, et laganum navem efficaciter distribute calor aequaliter ad omnes Silicon wafers. Hoc adjuvat consequi uniformis calefactio vel refrigerationem de Silicon wafers durante summus temperatus processus, ensuring constantiam et reliability de processui processus.

Ne contamination: Stabilitas chemica SiC permittit ut bene praestare in ambitus gasorum et mordorum magnorum temperaturarum, inde lagana siliconis reducens ad contaminantes vel reactantes possibilis, ad puritatem et qualitatem laganae pii.

Re vera, cymba Horizontalis SiC Wafer supra partes agere potest ob singulares eius notas producti;

Egone Chemical stabilitatem: Sic materiales habet optimum corrosio resistentia ad varietate eget media. In processus of processus mordax vapores aut liquida, sic lagam navi potest efficaciter resistere eget corrosio et protegat Silicon lana ex contaminatione vel damnum.

Princeps scelerisque conductivity: Sic est scriptor excelsum scelerisque conductivity iuvat ad aequaliter distribute calor in carrier processus et reducere calor cumulus. Hoc potest amplio accurate temperatus imperium durante praecisione dispensando et ensure uniformis calefacit et refrigerationem de Silicon wafers.

Humilis scelerisque expansio coefficientisEt humilis scelerisque expansion coefficiente de sic materia significat quod dimensiva mutatio sicco lacus navi valde parva durante temperatus mutationes. Hoc adjuvat ponere dimensional stabilitatem in altus-temperatus processui et prohibet deformationem vel situm obsessio ex Silicon wafers causatur a scelerisque expansion.

Basicae physicae proprietates Horizontalis SiC Wafer Carrier:

Compare semiconductor productio tabernam:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry catena: