GaN epitaxial susceptor

Et Gan epitaxial susceptator est disposito ad Gallium Nitride (Gan) epitaxial incrementum processus et idoneam pro Advanced epitaxial technologiae ut summus temperatus eget vapor vapor depositione (Mocvd). Et susceptator factus est summus puritas, summus temperatus resistant materiae ad curare optimum stabilitatem sub altum temperatus et multiple Gas environments, occurrens ad petens processus requisitis provectus semiconductor cogitationes, RF cogitationes et agros.

Praeterea, Vetisech Semiconductor est Gan epitaxial susceptator est haec productum features:

● material compositionem

High-puritate Graphite: SGL Graphite adhibetur ut subiectum, cum optimum et firmum perficientur.

Silicon carbide coating: Providet maxime excelsum scelerisque conductivity, fortis oxidatio resistentia et chemical rorum resistentia, idoneam incrementum necessitatibus summus potentia gan cogitationes. Is ostendit optimum diuturnitatem et longum officium in dura environments ut summus temperatus CVD et Mucvd, quod potest significantly reducere productio costs et sustentacionem frequency.

● Customization

Duis Size: Vetek Semiconductor sustinet customized servitium secundum mos necessitatibus, in magnitudinesusceptoret laganum foraminis potest esse amet.

● operating temperatus range

Veteksemi Gan epitaxial susceptator non sustinere temperaturis usque ad MCC ° C, cursus caliditas uniformitas et stabilitatem.

● Lorem apparatu

Nostrum Gan Epi susceptator est compatible cum ametMocvd Equipmentut Aixtron, Veeco, etc., idoneam summus praecisioneGan Epitaxial.

Veteksemi semper committitur providing customers cum maxime idoneam et optimum Gan epitaxial susceptatoris products et vultus deinceps ad decore vestra diu-term socium. Vetek Semiconductor providet vobis cum professional products et servicia ad auxilium vobis consequi maiorem results in epitaxy industria.

Cvd sic amet crystal structure

Basic physica proprietatibus CVD sic coating

Et semiconductorGan epitaxial susceptator products shops