CVD Tac tunicas tres-petal dux anulum

Silicon carbide uno crystallum subiectum materia est quaedam crystal materia, quae pertinet ad lata bandgap semiconductor materia. Habet commoda alta voltage resistentia, altum temperatus resistentia, altum frequency, humilis damnum, etc est basic materia ad praeparationem summus potentia potentia electronic cogitationes et Proin Radio Frequency cogitationes. In praesens, pelagus modi ad crescente sic crystals sunt corporalis vapor onerariis (Pvt modum), summus temperatus eget vapor depositione (HTCVD Method), Liquid Phase Methodo, etc.

De physica vapor onerariam (PVT) modum est bene - statutum ars altus idoneam ad magnum - scale industriae productio. In hoc processus, in sicco semen crystal sit positus ad summitatem de cruce, dum sic pulveris, servientes sicut rudis materia, positus est in cruciabili fundo. Sub condiciones summus temperatus et humilis pressura in clausa amet, in sic pulveris subligat. Pulsi a temperatus gradiente et concentration differentia, sublimata specie movere sursum versus regionem circa semen crystal. Semel reaching a supersaturated rei publicae, recrymstallization occurs, permittens pro precise imperium in magnitudine et specifica crystal genus ad crevit sic crystallis.

Et CVD Tac tunicas tres - petal dux Serves multiple crucial functionum. Primarie, quod enhances fluidum mechanicis per guiding Gas influunt, cursus quod crystal incrementum area est patere uniformis atmosphaera. Praeterea, efficaciter dissipat calor per sic crystallum incrementum processus. Per maintaining convenientem temperatus gradiente, id optimizes incrementum condiciones ad Sic crystallis et mitigat periculum crystal defectus per inaequalitatem temperatus distribution.