Cvd sic obstructionum pro sic crystallum incrementum

Sic est lata bandgap semiconductor cum praeclarus proprietatibus in altum demanda ad altus-voltage, summus potentia et summus frequency applications, praesertim in potentia semiconductors. Sic crystallis crevit usura Pvt modum ad a incrementum rate of 0.3 ad 0,8 mm / h ad control crystallining. Celeri incrementum de sic est provocantes debitum ad qualis exitibus ut ipsum inclusions, puritas degradation, Polycrystallina incrementum, frumenti terminus formatio, et defectus in siccitatem et Porosity, limited in fasciculis, sicut et Porosity.

Traditional Silicon carbide rudis materiae sunt adeptus ab reagens summus puritas Silicon et graphite, quae sunt excelsum in sumptus, humilis in puritate et parva in magnitudine. Vetek Semiconductor utitur fluidized lectum technology et eget vapor depositione ad generate CVD sicci usura methyltrichlorosilane. Pelagus byproduct est solum hydrochloric acidum, quae est humilis environmental pollutio.

Vetek Semiconductor utitur CVD sic obstructionumSic crystallum incrementum. Ultra-High Puritas Silicon Carbide (sic) produci per eget vapor depositione (CVD) potest esse sicut fons materiam ad crescente sic crystallis per corporalis vapor onerariis (PVT). 

Vetek Semiconductor specialitas in magna-particula sic pro PVT, quod habet altiorem density comparari parvum particula materia formatae per spontaneo combustionem si et C, quibus vapores. Secus solidum-phase morte aut reactionem de Si et C, Pvt non requirit a dedicated morticing fornacem vel tempus-perussi peccare gradum in incrementum fornacem.

Vetek Semiconductor prospere demonstrandum Pvt modum ad celeri sic crystallum incrementum in altus-temperatus gradientis conditionibus per contusos cvd-sic cuneos ad sic crystallum incrementum. Et crevit rudis materia tamen maintains eius prototypum, reducendo recrystallization, reducendo rudis materia graphitization, reducendo ipsum involucci defectus, et meliorem crystal qualitas.

Commode pro nova et antiquis materia:

Rudis materiae et reactionem machinationes

Traditional Toner / Silica Pulvis modum: usura princeps puritatis silica pulveris + Toner sicut rudis materia, sic crystal est summum ad altum temperatus supra MM ℃ per physica varia ad altum caliditas, et facilis ad inducere impudicitiis.

CVD sic particulas: et vapor tempus praecursor (ut silanene, Methyllsilane, etc.) adhibetur ad generate summus puritate sic particulas a eget vapor depositione (800-1100 ℃) et reactionem magis moderabilior et minus impudicae.

Structural perficientur emendationem:

Et CVD methodo potest pressius moderari in sic frumeo magnitudine (ut low ut II Nm) ad formare an intercalare Nanowire / tubi structure, quod significantly amplio densitas et mechanica proprietatibus de materia.

Anti-expansion perficientur optimization: per raro Carbon Ossa Silicon PRAECLUSIO Design, Silicon particula expansion limited ad micropores, et exolvuntur vita est quam X temporibus altior quam de traditional Silicon-fundatur materiae.

Applicationem sem expansion:

Novum Energy Field: Restituo in Traditional Silicon Carbon Negans Electrode, primum efficientiam est auctus ad XC% (Traditional Silicon oxygeni negative electrode est solum LXXV%), Support 4C Fast crimen, in occursum necessitates potentiae gravida.

Semiconductor agri: crescere VIII pollices et supra magnam magnitudinem sic lagam, crystallum crassitudine usque ad 100mm (traditional Pvt modum tantum 30mm), cede auctus per XL%.

Cvd sic amet crystal structure:

Basic physica proprietatibus CVD sic coating: