Tac iactaret annulum pro Pvt augmentum of Sic una crystal

In praesenti, sic potentiam consilia sunt magis et magis vulgaris, ita et related semiconductor fabrica fabricatione est magis, et proprietatibus siccior est melius. Sic est subiectum in semiconductor. Ut in necessitate rudis materia in sic cogitationes, quam ad effective producendum sic crystallum est unus de magna thema. In processus of crescente sic crystallum per Pvt (corporalis vapor onerariam) modum, Vetisk Semiconductor est Tac tunicas circulum pro Pvt incrementum et magni momenti partes. Post diligenter consilium et vestibulum hoc Tac iactaret circulum providet tibi optima perficientur et reliability, cursus efficientiam et stabilitatemSic crystallum incrementumprocessus.

Et Tantalum carbide (Tac) coating lucrata operam debitum ad excelsum liquescens punctum usque ad MMMDCCCLXXX ° C, Optimum Mechanica Requirite Crystallus est in PVT in Method Mode Crystalli.

Tac tunicas circulumProduct Features

(I) High-qualitas Tac coating materiam vinculum cum graphite materiales

Tac iactaret anulum pro Pvt augmentum de SIC una crystallo per altum qualitas SGL graphite materia sicut subiectum, quod habet bonum scelerisque conductivity et maxime princeps materia stabilitatem. CVD TaC coating provides a non-porous surface.At the same time, high-purity CVD TaC (tantalum carbide) is used as the coating material, which has extremely high hardness, melting point and chemical stability. Tac coating potest ponere optimum perficientur in altum temperatus (plerumque ad MM ℃ vel) et altus mysterium environment of sic crystallum incrementum per Pvt modum, efficaciter resistere eget reactiones et corporis exesaSic incrementumEt magnificentia extendunt ministerium vitae coating circulum et redigere apparatu sustentationem costs et downtime.

X μm CCC μm

Tac coatingEt excelsum crystalliness et optimum uniformitatem

(Ii) Prisise coating processus

Vetek Semiconductor de Advanced CVD coating processus technology ensures quod Tac coating aequaliter et dense operuit superficiem circulum. Et coating crassitudo potest esse pressius ad ± 5um, cursus uniformis distributio temperatus agro et aer fluxus agri in crystallum incrementum processus, quae est ad altum et magnam, magnitudinem incrementum in sic crystallis.

General coating crassitiem est XXXV ± 5um, etiam possumus customize secundum te postulationem.

(I) optimum summus temperatus stabilitas et scelerisque inpulsa resistentia

In summus temperatus environment of Pvt modum, Tac iactaret circulum pro Pvt augmentum de SIC una crystallo ostendit optimum scelerisque stabilitatem.

Resistentia H2, NH3, SIH4, Si

Ultra-summus puritas ne contaminationem processus

High resistentia ad scelerisque offensionibusque parvis fragile ad citius operationem circuitus

Potest resistere diu terminus summus temperatus pistoria non deformatio, elit vel coating effusione. Per incrementum de Sic crystallis, temperatus mutat frequenter. Vetek Semiconductor est Tac tunicas circulum pro Pvt augmentum de SIC uno crystallum habere optimum scelerisque concursorum et potest cito aptet ad celeri mutationes in temperatus sine fregisset vel damnum. Praeterea amplio productio efficientiam et uber qualitas.

Vetek Semiconductor est bene conscientiam, quod alia customers habent diversas Pvt sic crystallum incrementum apparatu et processibus, ita providet customized servicia pro Tac iactaret anulus pro Pvt incrementum in Sic una crystallum. Sive sit mole cubits in circulum corpus, coating crassitudo vel specialis perficientur requisita, possumus scissor est secundum ad vos postulo ut in producto perfectly aequet vestri apparatu et processus, providing te maxime optimized solution.

Physica proprietatibus Tac coating

Et semiconductorTac tunicas circulum productio shops