Optimization defectus et puritatem in Sic crystallis Tac coating

1.The defectus density iam minuatur significantly

InTac coatingFere omnino excludit carbonis encapsulation phaenomenon per Isolating directum contactus inter graphite cruce et sic conflandum, significantly reducendo defectus densitas microtubes. Experimentalem notitia ostendere quod densitas microtube defectibus per ipsum coating in crystallum crevit in Tac iactaret cruces reducitur plus quam XC% comparari cum traditional graphite crucialibus. Crystal superficies est uniformiter convexa, et non est Polycrystallina structuram in extremis, cum Ordinarius graphite cruces saepe habent ore polycrystallization et crystallum tristitia et aliis defectibus.

II. In impuritas inhibitionis et puritate melius

Tac materia habet optimum chemical inertness ut si, C et n vapores et potest efficaciter prohibere impudicitiis ut NITROGENIUM in graphite a diffundens in cristallum. GDMS et Hall probat ostendere quod NITROGENIUM concentration in crystal iam minuatur plus quam L%, et resisto auctus est 2-3 temporibus, quod de traditional modum. Licet a Trace moles ta elementum erat incorporatus (nuclei proportionem <0.1%), in altiore totalis immunditia contentus in plus quam LXX%, significantly melior electrica proprietatibus in crystallo.

III. Crystal ERREPTIFICIUM et incrementum uniformitatem

Et Tac coating moderatur temperatus gradiente ad crystallum incrementum interface, enabling crystal ingot ad crescere in convexa curvam superficiem et homogenizing in ore augmentum rate, sic vitandum in traditional graphite phaenomenon in ore vitare in Traditional Graphite Phaenomenon in ore vitare in Traditional Graphite Phaenomeni fecit in ore vitare in Traditional Graphite Phaenomenon in ore vitare in Polycrystallization Phaenomenon in ore oclockoling in traditional GRAPHITE per ora, ita vitandum in Traditional Graphite Phaenomeni fecit in ore vitare in Traditional GRAPHITE PHATULUS. In ipsa mensuram ostendit quod diameter deviationis cristallum ingot crevit in Tac tunicas crustis est ≤2% et crystallum superficiem planationness (RMS) est melius a XL%.

Et ordinacione mechanism of Tac coating in scelerisque agri et æstus translatio characteres

Perficientur collatio Tac coating cum aliis crucem materiae

Material Type	Temperatus resistentia	Chemical inertness	Mechanica fortitudinem	Crystal defectus density	Typical application missionibus
Tac iactaret Graphite	≥2600 ° C	Non reactionem cum si / c vapor	Mohs duritia 9-10, fortis scelerisque concursu resistentia		Summus puritate 4h / 6h-sic una crystallum incrementum
Nudum graphite	≤2200 ° C	Corroded per Si vapor releasing C	Humilis vires prone ad crepuit	10-50 cm⁻²	Sumptus-effective Sic in SIC Power Fabrica
Sic iactaret graphite	≤1600 ° C	Reacts cum formatam Sic₂ ad altum temperaturis	Princeps duritiam et fragilis	5-10 cm⁻²	Packaging materiae ad medium temperatus semiconductors
BN Crucible	<2000k	Releases N / B Impurisities	Pauperem corrosio resistentia	8-15 cm⁻²	Epitaxial subiecta compositis semiconductors

Et Tac coating habet effectum a comprehensive emendationem in qualis est Sic crystallis per triplici mechanism eget obice, scelerisque agro Optimization et interface regulat

• Defectus imperium microtube density est minus quam I cm⁻², et carbonis coating est omnino eliminated
• Puritas emendationem: NITROGENIUM concentration 10⁴ ω · cm;
• In emendationem de scelerisque ager uniformitatem in incrementum efficientiam reducit potestatem consummatio per IV% et extendit in III vitam per II ad III temporibus.