Raro Tantalum carbide

Vetek semiconductor raro Tantalum Carbide (Tac) est summus perficientur tellus material quod combines proprietatibus Tantalum et ipsum. Stricta structure est valde idoneam ad propria applications in altum caliditas et extrema environments. Tac combines optimum duritiam, scelerisque stabilitatem et eget resistentia, faciens idealis materia electionis in semiconductor processus.

Pororo Tantalum carbide (Tac) est composito ex Tantalum (ta) et ipsum (c), in quo Tantalum forms fortis chemical vinculum cum carbo carbonis, dans quod materia maxime princeps diuturnitatem et gerunt resistentia. Et raro structuram de raro tac est creatus in vestibulum processus in materia, et Porosity potest esse secundum specifica applicationem necessitates. Hoc productum est plerumque fabricariChemical vapor depositione (CVD)Modus, ensuring praefuram imperium eius pie magnitudine et distributionem.

Molecular structuram de Tantalum carbide

Vetek Semiconductor Poruus Tantalum Carbide (Tac) habet haec productum features

● Porosity: Et rara structuram dat eam diversis munera in propria application missionibus, comprehendo Gas diffusio, filtration vel regi calor dissipationem.

● Altum liquescens Point: Tantalum carbide habet maxime altus liquescens punctum de 3,880 ° C, qui idoneam ad maxime caliditas environments.

● optimum duritiem: Rara Tac habet maxime princeps duritiam circa 9-10 in Mohs duritiam scale similes adamantino. Et potest resistere mechanica gerunt in extrema condiciones.

● Thermal stabilitatem: Tantalum carbide (Tac) materia potest manere firmum in altum temperatus environments et habet fortis scelerisque stabilitatem, cursus eius consistent perficientur in altum temperatus environments.

● High scelerisque conductivity: Quamvis eius Porosity, Poruus Tantalum carbide adhuc retinet bonum scelerisque conductivity, cursus efficiens calor translatio.

● humilis scelerisque expansion coefficientem: Quod humilis scelerisque expansion coefficientem Tantalum carbide (Tac) adjuvat in materia manent dimensionaliter firmum sub significant temperatus fluctus et reduces impulsum scelerisque accentus.

Physica proprietatibus Tac coating

In semiconductor vestibulum, raro Tantalum carbide (Tac) ludit in sequentibus specifica clavis munuss

In summus temperatus processuum utPlasma EtchingEt CVD, Vetek Semiconductor Poruus Tantalum carbide est saepe usus est tutela coating ad dispensando apparatu. Hoc est ex fortis corrosio resistentiaTac coatinget eius summus temperatus stabilitatem. Haec proprietatibus ut efficaciter protegit superficies patere reactivum vapores aut extrema temperaturis, ita ensuring normalis reactionem summus temperatus processibus.

In diffusione processus, raro Tantalum carbide potest serve ut effective diffusio obice ne miscentes materiae in altum temperatus processibus. Hoc pluma est saepe solebat control diffusionem Dopants in processus ut Ion implantatio et puritas imperium semiconductor.

Et raro structuram de Vetek Semiconductor porrous Tantalum carbide est valde idoneam ad semiconductor processui environments ut requirere praecise Gas influere potestate aut filtration. In hoc processus, raro Tac maxime ludit partes Gas filtration et distributio. Eius chemical inertness non contaminants non introduced in filtration processus. Hoc efficaciter praestat puritatem processionaliter uber.

Tantalum carbide (Tac) coating in microscopic crucem-sectioni