News

In semiconductor vestibulum industria, ut fabrica magnitudine continues ad horreat, depositionem technology de tenuis film materiae habet inordinationem inordinationem challenges. Nucleum iacuit depositione (Ald), ut tenuis film depositione technology quod potest consequi precise imperium ad nuclei gradu, facta est in necessitate parte semiconductor vestibulum. Hoc articulum intendit ad introducendam processus influunt et principiis Ald ad auxilium intelligere sua momenti munus in provectus chip vestibulum.

Propositum est aedificare ambitus integros seu machinas semiconductores in strato turpi crystallino perfecto. Epitaxia (epi) processum in semiconductore fabricando intendit deponere subtilissimum stratum unius-crystallinum, plerumque circiter 0,5 ad 20 microns, in uno-crystallino subiecto. Processus epitaxy maximus gradus est in fabricando machinas semiconductoris, praesertim in vestibulum laganum pii.

Pelagus differentia inter epitaxy et nuclei iacuit depositione (Ald) mendacium in film augmentum machinationes et operating conditionibus. Epitaxy refers ad processus of growing a crystallina tenues film in crystallina subiecta cum specifica propria orientatio necessitudinem, maintaining idem vel similis crystallum structuram. Contra, Ald est depositio ars quod involves exponunt subiectum diversis eget praecursores in serie formare tenuis amet unum atomicus iacuit ad tempus.

CVD Tac coating est processus pro formatam densa et durabile coating in subiecto (Graphite). Hic modus involves depositing Tac onto subiectum superficiem ad altum temperaturis, unde per Tantalum carbide (Tac) coating cum optimum scelerisque stabilitatem et eget resistentia.

Sicut VIII-inch Silicon Carbide (sic) processum maturescit, manufacturers sunt accelerans subcinctus a VI-inch ad VIII inch. Nuper, in semiconductor et resonac nuntiatum updates super VIII inch sic productio.

Hic articulus recentissimas progressus in novo designato PE1O8 muro calidus CVD reactor societatis Italicae LPE introducit eiusque facultatem perficiendi epitaxiam aequabilem 4H-SiC in 200mm SiC.