4h n-genus sic substratum

Et semiconductor4H N-genus SiC Substratumproducta optimas habent proprietates electricas, scelerisque et mechanicas, ergo hoc productum late adhibetur in processu semiconductoris machinarum quae altam potentiam, altam frequentiam, caliditatem et altam constantiam requirunt.

Et naufragii Electric Field vires 4h n-genus sic est quod altum quod 2.2-3.0 MV / cm. Hoc productum pluma permittit fabricare minores cogitationes tractare altius voltages, ita nostra 4h n-type sic substratum est saepe solebat fabricare Mosfets, Schottky et JFets.

Sceleris conductivitas 4H N-type SiC Wafer circiter 4.9 W/cm·K est, quae adiuvat ad calorem dissipandum efficaciter, cumulum caloris minuendum, vitam fabricam extendunt, et ad densitatem applicationum altae potentiae apta est.

Praeterea, Vetisech Semiconductor 4h n-genus sic lagana potest adhuc habere firmum electronic perficientur ad temperaturis usque ad DC ° C, ita saepe solebat ad armigere summus temperatus et est valde idoneam ad extrema environments.

Crescendo carbide siliconis epitaxialis iacuit in carbide n-type substrati siliconis, carbide silicon laganum homoepitaxiale ulterius in machinis potentiae fieri potest ut SBD, MOSFET, IGBT, etc. tradendi -potestatis et transformationis, etc.

Et semiconductoraltiorem qualitatem crystallinam persequi pergit et qualitatem expediendi ut obviam mos postulo. Currently, both 6-inch and 8-inch products are available. Sequentes sunt parametri principales producti 6-inch et 8-inch SIC Substratum:

VI LNCN N-Type sic in basic productum specifications:

VIII LNCN N-Type sic in basic productum specifications:

4h n-genus sic substratum deprehendatur modum et terminology: