Silicon in insulator wafer

Opus principiumEt semiconductorS sSilicon in insulator laganumMaxime innititur in unique structuram et materiam proprietatibus. Et Soi Waferex tribus layers, in summo iacuit est unum-crystal Silicon fabrica iacuit, in medio est insulating sepulta cadmiae (buxum) iacuit subiectum.

Structura Silicon in insulator wafers (Soi)

Formatio in SINGLING SINGULTUM: Silicon in insulator lagam solet fabricari per dolor Conscidisti ™ technology vel simia (separationem implantatum oxygeni) technology. Smart Conscidisti ™ technology injiciat hydrogenii ions in Silicon laga ad formare bulla iacuit, et vincula hydrogenii-infusum laganum ad sustentationem Siliconlaganum. 

Post calor curatio, hydrogenii, infusum laganum est split ex bulla accumsan ad formare in Soi structuram.Simomo TechnologyImplantatorum summus industria oxygen ions in Silicon wafers ad formare Silicon cadmiae iacuit ad altum temperaturis.

Redigendum parasitica capaciturance: De buxum iacuit deSilicon Carbide WaferEfficaciter isolat in fabrica iacuit et basi Silicon, significantly reducinG Parasitica capacitance. Hoc solitudinem reducit virtutis consummatio et crescit fabrica celeritate et perficientur.

Vitare foramen-sursum effectus: N bene et p bene cogitationes inSoi WaferSunt omnino solitaria, vitandum ad foramen-sursum effectus in traditional cmos structuras. Hoc conceditWafer Soi ut fabricari altior celeritatum.

Etch subsisto munus: QuodSine Crystalli Silicon fabrica layerEt buxum stratum structuram Soi lagana facilitates facilior faciens mems et optoelectronic cogitationes, providing optimum etch subsisto munus.

Per haecSilicon in insulator laganumPlays an maximus munus in semiconductor processus et promovere continua progressionem in integrated circuitu (IC) etmicroelectromechanical systems (mems)industries. Nos sincere expectamus adhuc communicationis et cooperante vobiscum.

Et 200mm Sol Wafers Specification Parametri:

Silicon in insulator wafers productio officinae: