Pororem Sic Ceramic laminam

Pororem Sic Ceramic laminam est purus structuram Ceramic materiale factum estSilicon CarbideSicut pelagus component et combined cum peculiari peccating processus. Et Porosity est Novifacta (plerumque XXX% -70%), quod pore mole distribution est uniformis, quod est optimum caliditas resistentia, chemical stabilitatem et excellens vestibulum, chemical vapor et in semiconductor et alias, chemical vapor est in semiconductor et alias, chemical vapor et in semiconductor et aliasque, chemical vapor et in semiconductor et alias, chemical vapor et in semiconductor et alias, chemical vapor et in semiconductor et alias, chemical vapor et in semicondus et aliasque.

Et pro magis notitia de raro sic Ceramic laminam, placere reprehendo sicco hoc blog.

Pororem Sic Ceramic DiscOptimum physica proprietatibus

● In Extremo High Temperature Resistance:

Et liquescens punctum de Sic Ceramics est ut princeps ut MMDD MMDD ° C, et non potest tamen ponere structural stabilitatem super MDC ° C, Pretium Excedens Traditional Alumina Ceramic (De MM ° Feminae Processes.

● optimum scelerisque administratione euismod:

✔ High scelerisque conductivity: De scelerisque conductivity de densa sic est de CXX w / (m K · k). Etsi autem raro structuram leviter reduces scelerisque conductivity, quod adhuc significantly melius quam maxime LATERAMEN et sustinet efficiens calor dissipationem.

✔ humilis scelerisque expansion coefficiente (4.0 × 10⁻⁶ / F): paene non deformatio ad altum temperatus, avoiding fabrica defectum fecit per scelerisque accentus.

● optimum chemical stabilitatem

Acidum et alkali corrosio resistentia (praesertim outstanding in HF environment), altum temperatus oxidatio resistentia, idoneam dura ambitus ut etching et Purgato.

● Outstanding mechanica proprietatibus

✔ High durum (Mohs duritia 9.2, secundo tantum adamantino), fortis gerunt resistentia.

✔ flectens vires potest pervenire 300-400 MPA et pie structuram consilio accipit rationem tam leve et mechanica vires.

● Functura raro structura

✔ High Specimen Area: Enhance Gas Diffusio Efficens, idoneam ut reactionem Gas distribution laminam.

✔ Contrinable Porosity: Optimize fluidi penetratio et filtration perficientur, ut uniformis film formationem in CVD processus.

Imprimis munus in semiconductor vestibulum

● High Temperature Processus Support et æstus Vallis

Ut a wafer firmamentum laminam, quod est in altum temperatus apparatu (> MCC ° C) ut diffusa Furnorum et annexa fornaces ne metallum contaminationem.

Et raro structuram habet et velint et firmamentum munera, reducendo calor damnum.

● uniformis Gas distribution et reactionem imperium

In eget vapor depositione (cvd) apparatu, ut a Gas distribution laminam, in poris sunt ad uniformiter onerariam reactive gases (ut sih₄, nh₃ depositione.

In sicco Etching et raro structuram optimizes Plasma distributio et amplio etching accurate.

● electrostatic Chuck (Esc) Core components

Porore sic adhibetur sicut electrostatic Ruck subiecti, quod Achieves vacuo adsorption per micropores, verius fixes lagam et repugnant ad plasma bombardment et habet longum officium.

● corrosio repugnans components

Usus est in cavum tunica infectum etching et Purgato apparatu, quod resistit corrosio fortis acida (ut H₂so₄, hno₃) et fortis alkalis (ut Koh).

● Thermal agri uniformitatem imperium

In uno crystal Silicon augmentum Furnaces (ut Czochralski modum), ut calor scutum et firmamentum, eius princeps scelerisque stabilitatem adhibetur ponere uniformis scelerisque agros et reducere cancellos defectus.

● filtration et purificationis

Et raro structuram potest intercipiant particulatum contaminants et adhibetur in ultra-pura Gas / Liquid Delivery Systems ut process process purless.

Commoda super traditional materiae