Industria News

Tantalum carbide (Tac) coatings sunt late in semiconductor agro, maxime ad epitaxial incrementum reactor components, unum crystallum incrementum et ad amplio apparatibus et cedrosion et crystal, ut amplio stabilitatem industria et cedat et meliorem stabilitatem.

Durante sic epitaxial incrementum processus, sic iactaret graphite suspensionem defectum potest fieri. Hoc charta conducts a rigorous analysis de defectum phaenomenon de Sic iactaret graphite suspensionem, quae maxime includit duo factors: sic epitaxial Gas defectum et sic coating defectum.

Articulus hic praecipue tractat de processu respectivo commoda et differentiae processus Epitaxy Trabi Moleculari et technologiae depositionis vaporum chemicorum metalli-organici.

Vetek semiconductor est Poruus Tantalum carbide, sicut nova generation de sic crystallus incrementum materia, habet multa optimum productum proprietatibus et ludit a key partes in variis semiconductor processus technologies.

Et opus principium epitaxial fornacis est deposit semiconductor materiae in subiecto sub altum temperatus et princeps pressura. Silicon epitaxial incrementum est crescere layer crystallum cum eodem crystal orientation ut subiectum et diversis crassitudine in Silicon unum crystallum subiectum cum quadam crystallum propensionem. Hoc articuli maxime introducit Silicon epitaxial incrementum modi: vapor phase epitaxy et liquidum tempus epitaxy.

Depositio vapor chemicus (CVD) in fabricandis semiconductoribus adhibetur ut materias cinematographicas tenues in cubiculo deponant, inclusis SiO2, SiN, etc., et genera communiter PECVD et LPCVD includunt. Aptans temperiem, pressuram et reactionem gas genus, CVD consequitur puritatem altam, uniformitatem et bonum cinematographicum coverage ad diversum processum requisita.