Industria News

Vetek semiconductor est Poruus Tantalum carbide, sicut nova generation de sic crystallus incrementum materia, habet multa optimum productum proprietatibus et ludit a key partes in variis semiconductor processus technologies.

Et opus principium epitaxial fornacis est deposit semiconductor materiae in subiecto sub altum temperatus et princeps pressura. Silicon epitaxial incrementum est crescere layer crystallum cum eodem crystal orientation ut subiectum et diversis crassitudine in Silicon unum crystallum subiectum cum quadam crystallum propensionem. Hoc articuli maxime introducit Silicon epitaxial incrementum modi: vapor phase epitaxy et liquidum tempus epitaxy.

Depositio vapor chemicus (CVD) in fabricandis semiconductoribus adhibetur ut materias cinematographicas tenues in cubiculo deponant, inclusis SiO2, SiN, etc., et genera communiter PECVD et LPCVD includunt. Aptans temperiem, pressuram et reactionem gas genus, CVD consequitur puritatem altam, uniformitatem et bonum cinematographicum coverage ad diversum processum requisita.

Hic articulus maxime describitur lata application spes Silicon carbide Ceramics. Etiam focuses in analysis de causas de peccating rimas in Silicon carbide Ceramics et correspondentes solutiones.