CVD TaC coating planetarium SiC epitaxial susceptor

Aixtron reactor planetarum est antecedensMOCVD armorum. Exemplum discendi factus est multos artifices reactor. Reactoris laminae horizontalis ex principio fluxus reactoris lucidum transitum efficit inter diversas materias et singularem potestatem habet super depositionis in uno strato atomico, in lagano rotato sub certis conditionibus depositis. 

Plurimum criticum horum est multiplex gyrationis mechanismus: reactor multiplices gyrationes CVD TaC efficiens suscipit epitaxialem planetarium SiC susceptorem. Haec rotatio permittit laganum reactioni gasi in reactione aequaliter exponi, eoque ut materia posita in lagano egregiam habeat uniformitatem in crassitudine, compositione et doping.

TaC ceramic materia alta est effectus cum summo puncto liquefacto (3880°C), optima conductivity scelerisque, conductivity electricae, durities altae aliaeque proprietates optimae, potissima est corrosio resistentiae et resistentiae oxidationis. Pro incrementi epitaxialis condiciones SiC et coetus III materiae nitride semiconductoris, TaC praeclaram inertiam chemicam habet. Ergo CVD TaC coatingit susceptorem epitaxialem planetarium SiC praeparatum per methodum CVD manifestas utilitates inSiC incrementum epitaxialprocessum.

SEM imago crucis-sectionis graphitae TaC-iactata

●  Resistentia caliditas:Proventus epitaxialis SiC temperatus tam altus est quam 1500℃ - 1700℃ vel etiam superior. Punctum liquescens TaC tam altum est quam circiter 4000℃. PostTaC coatingapplicatur ad superficiem graphite, thegraphite partesbonam stabilitatem in calidis temperaturis conservare potest, condiciones caliditatis caliditatis incrementi epitaxialis SiC sustinere et lenis progressionis incrementi epitaxialis processum curare.

●   Resistentia consectetur corrosio: TaC tunica bonam habet stabilitatem chemicam, efficaciter hos gasos chemicos a contactu cum graphite separat, graphites ne corroditur, et vitam graphitarum partium promovet.

●  Improved conductivity thermal scelerisque:TaC coating potest emendare scelerisque conductivity graphitae, ut calor aequius distribui possit in superficie partium graphitarum, stabilis temperaturae ambitus ad incrementum SiC epitaxialem praebens. Hoc adiuvat ad incrementum uniformitatis epitaxialis SiC propaginis emendare.

●   Reduce impuritatem contagione:TaC coating cum SiC non agere et efficax impedimentum esse potest ne immunditia elementa in partibus graphitis diffundant in iacum epitaxialem SiC, ita emendatam puritatem et observantiam epitaxialis lagani SiC.

VeTek Semiconductor capax est et bonum faciens CVD TaC efficiens susceptorem planetarium SiC epitaxialem et clientes praebere potest cum productis ualde nativus. exspectamus inquisitionem tuam.

Corporalia proprietatesTantalum Carbide Coating 

VeTek Semiconductor tabernis productio