CVD Tac coating planetarium sic epitaxial susceptator

Aixtron planetarium reactor est ex maxime provectusMocvd Equipment. Exemplum discendi factus est multos artifices reactor. Reactoris laminae horizontalis ex principio fluxus reactoris, perspicuum transitum inter diversas materias efficit et singularem potestatem habet super depositionis rate in uno strato atomico, in lagano rotato sub certis conditionibus depositis. 

Maxime discrimine horum est multiplex gyrationis mechanism: et reactor adoptat multiple rotations CVD Tac coating planetarium sic epitaxial susceptator. Hoc rotationis concedit in lagam esse aequaliter patere ad reactionem Gas in reactionem, ita ensuring quod materia deposita super laganum habet optimum uniformitatem in iacuit crassitudine, compositionem et doping.

Tac Ceramic est princeps perficientur materia cum altum liquescens punctum (MMMDCCCLXXX ° C), optimum scelerisque conductivity, electrica conductivity, princeps duritia resistentia et oxidatio resistentia. Nam epitaxial incrementum conditiones sic et coetus III Nitride Semiconductor materiae, Tac habet optimum eget inertiae. Ideo CVD Tac coating planetarium sic epitaxial susceptator paratus a CVD methodo manifestum commoda inSic epitaxial incrementumprocessus.

Sem imago crucis-sectionem Tac-iactaret Graphite

● High Temperature ResistentiaEt sic epitaxial incrementum temperatus est ut princeps ut MD ℃ - MDCC ℃ vel etiam altius. Et liquescens punctum TAC est ut altum quod circa (IV) ℃. PostTac coatingapplicantur ad Graphite Superficiem, quodgraphite partesbonam stabilitatem in calidis temperaturis conservare potest, condiciones caliditatis caliditatis incrementi epitaxialis SiC sustinere et lenis progressionis incrementi epitaxialis processum curare.

● amplificata corrosio resistentiaEt Tac coating habet bonum eget stabilitatem, efficaciter isolat his eget vapores ex contactu cum Graphite, impedit Graphite ab esse corroditur, et extendit ministerium vitae graphite.

●  Improved conductivity thermal scelerisqueEt Tac coating potest amplio scelerisque conductivity of Graphite, ita ut calor potest esse magis aequaliter distribui super superficiem graphite partes, providente stabilis temperatus environment pro sic epitaxial incrementum. Hoc adjuvat ad amplio incrementum uniformitatem in sic epitaxial layer.

● reducere immunditiam contagionemEt Tac coating non reflecti cum sic et non serve quod efficax obice ne immaculata elementa in graphite partes ex diffundens in sic epitaxial layer, ita improving in puritate et perficientur in siccing lateribus et perficientur in siccing lateribus et perficientur in siccing lateribus et perficientur in siccuanda et emundationem et perficientur siccantem in siccing et perficientur siccans in siccans et perficientur in siccuantur et emundationem et perficientur siccans lacus et perficientur siccantem in siccans et perficientur siccans lacus et perficientur siccans et emundationem et perficientur siccans lacus et perficientur siccans in siccans et perficientur et epitaxial laganum.

Vetisek Semiconductor sit capax et bonum ad CVD Tac coating planetarium sic epitaxial susceptator et potest providere customers cum altus amet products. Nos es vultus deinceps ad inquisitionis.

Physica proprietatibusTantalum Carbide Coating 

Vetek semiconductor productio officinae